STL90N6F7
STL90N6F7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.4 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1600pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 4.8W（Ta）, 94W（Tc） | 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
STL90N6F7手册
STL90N6F7概述
产品概述：STL90N6F7 N通道MOSFET
STL90N6F7是一款高性能的N通道MOSFET，专为需要较高功率和可靠性的电子应用而设计。作为意法半导体（STMicroelectronics）旗下的产品，STL90N6F7结合了先进的MOSFET技术，以出色的电气特性和机械设计为特征，广泛适用于工业、汽车和消费电子等多个应用领域。
主要特点
漏源电压：STL90N6F7的漏源电压（Vdss）高达60V，使其能够满足高电压环境下的工作需求。这一特性非常适合于电源管理、DC-DC转换器及电机驱动等需要承受高电压的应用场合。
高连续漏极电流：在25°C的条件下，该MOSFET的连续漏极电流（Id）可达90A，确保在高负载状态下的优秀表现。同时，144W的功率耗散能力（Tc条件下）为其运行带来了更大的灵活性，使设备能够在高电流环境下稳定工作。
导通电阻：STL90N6F7在10V的驱动电压下，最大导通电阻（Rds(on)）为5.4毫欧（在10.5A时），这对于降低功耗和热量产生是十分关键的。这一低导通电阻的特性保证了在开启状态下的高效率，减少了因电流流动而造成的能量损耗。
栅极阈值电压：该产品的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4V（在250µA下），方便与各种控制电路兼容，确保良好的驱动特性。
快速开关特性：STL90N6F7具备最大栅极电荷（Qg）为25nC（在10V时），这一设计使其在开关速度和开关损耗之间取得了良好的平衡，适用于对开关速度有较高要求的应用。
应用场景
由于其高功率和高效能，STL90N6F7非常适合以下应用领域：
电源管理：包括高效的DC-DC变换器、线性稳压器等，需要在高电流及高效率运行下的电源控制。
电机驱动：可用于电动机控制（例如无刷直流电机），在电机起动、调速及反转等过程中，STL90N6F7的高电流承载能力和低导通电阻将大大提升驱动效率和系统可靠性。
汽车电子：作为动力模块、充电器和电源管理系统的一部分，STL90N6F7能够在汽车环境下保持性能的稳定。
工业控制：在需求高电流、高电压的制造和自动化设备中，STL90N6F7表现出色，用于开关控制、驱动及转换电路。
机械与封装
STL90N6F7采用了PowerFlat™（5x6）表面贴装封装，具有良好的热管理和电感特性，更适合高密度电路板设计。该封装的散热能力强，可以在较高的温度环境下稳定工作，最高工作温度可达到175°C（TJ）。同时，其小巧精致的封装尺寸使产品在设计上更为灵活。
结论
综上所述，STL90N6F7是一款高性能、多功能的N通道MOSFET，凭借其优秀的电气特性和稳定性在多种高要求应用中展现出卓越的价值。对于工程师而言，STL90N6F7是设计高效、可靠电源系统以及电机控制的重要选择，必将为您的项目成功提供可靠支持。