STGB15H60DF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STGB15H60DF

商品编码: BM0084329337
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
IGBT管/模块 600V 115W FS(场截止) 30A D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.87
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.87
--
100+
¥5.49
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STGB15H60DF参数

IGBT 类型沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值)600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)30A电流 - 集电极脉冲 (Icm)60A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2V @ 15V,15A功率 - 最大值115W
开关能量136µJ(开),207µJ(关)输入类型标准
栅极电荷81nC25°C 时 Td(开/关)值24.5ns/118ns
测试条件400V,15A,10 欧姆,15V反向恢复时间 (trr)103ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB供应商器件封装D2PAK

STGB15H60DF手册

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STGB15H60DF概述

产品概述:STGB15H60DF - 沟槽型场截止IGBT

一、产品简介

STGB15H60DF 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能沟槽型场截止绝缘栅双极晶体管(IGBT)。该设备专为高电压应用而设计,其主要特性是具备600V的集射极击穿电压、30A的最大集电极电流和115W的最大功率输出,适用于广泛的电源转换和电机驱动应用。

二、主要规格

  1. 电气特性:

    • 集射极击穿电压 (Vces):最大值为600V,适合用于高电压环境。
    • 集电极电流 (Ic):最大值30A,能够承受较大的负载。
    • 脉冲集电极电流 (Icm):高达60A,为瞬时负载提供支持。
    • 导通压降 (Vce(on)):在15V栅电压和15A集电极电流下,最大为2V,确保有效的能量转换。
    • 功率:最高可达115W,适合多种应用场景。
  2. 开关特性:

    • 开关能量分别为开关时的136µJ和关断时的207µJ,显示出该器件在动态应用中的优良性能。
    • 反向恢复时间 (trr):103ns,适合高频开关应用。
    • 开关延迟 (Td):在25°C条件下,开关延迟时间为24.5ns,关断延迟为118ns,显示出快速开关能力,适合高效转换。
  3. 温度和封装特性:

    • 工作温度范围:-55°C至175°C,适用于严苛环境下的工业应用。
    • 该器件采用D2PAK封装方式,便于表面贴装和散热设计。

三、应用场景

STGB15H60DF 适用于多种应用领域,包括但不限于:

  1. 电动机驱动: 适用于电机调速和控制系统,其高电流承受能力和快速开关特性可以实现高效的电机驱动。

  2. 电源转换: 在DC-DC转换器和UPS(不间断电源)中,此IGBT能够提升转换效率和系统稳定性。

  3. 工业自动化: 在工业设备和工厂自动化控制系统中,STGB15H60DF展现出其高可靠性和优性能,满足复杂的操作需求。

  4. 汽车电气系统: 该器件特别适合应用于电动汽车和混合动力汽车中的逆变器和电源管理系统。

四、总结

STGB15H60DF是为高电压和高效率应用设计的IGBT,其卓越的电气性能、快速的开关特性和广泛的工作温度范围使其成为电动机驱动、电源转换和工业自动化领域的理想选择。作为意法半导体推出的一员,STGB15H60DF以其高可靠性和良好的热管理特性,满足工业界对于宽广应用场合的需求,为智能化和现代化系统提供了强大的支持。

在选择IGBT时,STGB15H60DF无疑是一个值得关注的优质选择,能够有效提升系统性能,降低能耗,为电子设计的未来发展提供强有力的技术支持。