晶体管类型 | 4 NPN 达林顿(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.75A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.4V @ 2mA,1.25A |
功率 - 最大值 | 1W | 工作温度 | -20°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 16-PowerDIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 16-PowerDIP(20x7.10) |
一、产品简介
ULN2066B 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高效能达林顿晶体管阵列,采用16引脚的PDIP封装。该器件专为驱动大电流、大功率负载而设计,典型应用包括继电器驱动、步进电机控制、灯光调光控制以及各种自动化设备中的开关控制。凭借其出色的性能和可靠性,ULN2066B 在工业及电子产品设计中得到了广泛应用。
二、产品特性
达林顿结构:ULN2066B 采用达林顿结构设计,因此具有高增益和高输入阻抗的特性。这种结构使得它在驱动重负载时所需的基极电流显著减少,从而简化了外围电路的设计。
高电流输出:该晶体管最大发射电流(Ic)可达1.75A,适合驱动需要高电流的负载。其可接受的最大集射极击穿电压(Vce)为50V,确保在多种工作环境下的稳定性和安全性。
低饱和压降:在不同的输入基极电流(Ib)及集电极电流(Ic)条件下,ULN2066B 的Vce饱和压降最大值为1.4V(在2mA及1.25A条件下),体现了其在高负载下的良好传导特性,从而降低了功率损耗,提升了系统效率。
出色的温度适应性:工作温度范围广泛,从-20°C到85°C,能够适应多种环境条件,这使得其应用更为灵活和广泛。
便捷的安装方式:采用通孔(PDIP)封装,便于在各种电路板上焊接,简化了生产和装配过程。
多通道设计:作为一个阵列,它集成了多个达林顿对,可以用于驱动多路负载,降低了电路的复杂性并节省了电路板空间。
三、应用领域
由于其卓越的性能,ULN2066B 广泛应用于以下领域:
四、性能优势
ULN2066B 不仅具备高性能和高效率,更重要的是其设计考虑到了多种工作环境的可适应性。其内部结构的优化及封装设计,使得其在电路中的热管理效果良好,有效防止因过热造成的失效。同时,达林顿级联的增益特性,也使得其在驱动大负载时表现出色。
五、结论
总体而言,ULN2066B 达林顿晶体管阵列是一款功能强大且灵活的电子元器件,适合多种高电流、高效率的电气控制应用。其高带宽、低功率损耗和优秀的抗干扰能力使其成为现代电子设计的重要元器件。无论是在工业自动化、工程机械、还是家用电器等领域,ULN2066B 都展现出极高的价值,期待在未来的设计中继续发挥其核心优势。