STD4N52K3

STD4N52K3 产品概述

一、产品简介

STD4N52K3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件设计用于提升电力电子应用中的效率，尤其适用于高压、高功率电路中。其集成的结构能在提供优异的电气性能和热管理的同时，确保长期稳定可靠的工作。

二、主要技术参数

1. FET 类型：N 通道 MOSFET
2. 漏源电压（Vdss）：525V
3. 连续漏极电流 (Id)：2.5A（在 25°C 的热条件下）
4. 驱动电压 (Vgs)：最低 10V 时实现最佳导通状态
5. 导通电阻 (Rds On)：最大 2.6 欧姆（在 Id = 1.25A，Vgs = 10V 时）
6. 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大 4.5V（在 50µA 条件下）
7. 栅极电荷 (Qg)：最大 2nC（在 Vgs = 10V 时）
8. 输入电容 (Ciss)：最大 334pF（在 Vds = 100V 时）
9. 功率耗散：最大 45W（在 Tc 条件下）
10. 工作温度：最高可达 150°C（结温）
11. 封装类型：DPAK（TO-252-3 封装）

三、应用领域

STD4N52K3 的高压、大电流和优秀的导电特性使其在多种电力电子应用中表现优异。具体应用包括但不限于：

• 开关电源：在电源转换和管理中，STD4N52K3 可以有效降低开关损耗，提高整体效率。
• 电动机驱动：可用于电动机控制系统，作为开关元件或逆变器中的核心组件。
• 电池管理系统：适用于电池充电和保护电路，提高系统的安全性和稳定性。
• 照明系统：在高压灯具及相关电子设备中，确保良好的开关特性和耐热性能。

四、性能优势

1. 高耐压：能够承受高达 525V 的漏源电压，满足大多数高压应用的需求。
2. 低导通电阻：2.6 欧姆的导通电阻能够有效减少能量损耗，提高效率。
3. 优异的热管理：最大功率耗散可达 45W，配合良好的散热设计，能够在严苛环境中稳定工作。
4. 宽工作温度范围：支持高达 150°C 的工作温度，适合各种工业和消费类电子产品。
5. 灵活的封装设计：DPAK 封装设计简化了PCB布局，适合现代电子产品的设计需求，并且易于自动化贴片工艺。

五、结论

STD4N52K3 N 通道 MOSFET 是一款结合高电压、低导通电阻和优异热性能的高性能器件，广泛适用于各种电源管理和驱动应用。其卓越的技术参数和应用灵活性使其成为电力电子领域的理想选择。无论是工业应用、家庭自动化还是电动工具，STD4N52K3 都能够提供稳定性和效率，是工程师在设计高效能电路时不可或缺的元件。