晶体管类型 | 4 NPN 达林顿(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.75A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.5V @ 2.25mA,1.5A |
功率 - 最大值 | 1W | 工作温度 | -20°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 16-PowerDIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 16-PowerDIP(20x7.10) |
产品概述
ULN2069B是一款高性能的达林顿型NPN晶体管阵列,专为需要高电流和电压驱动能力的应用而设计。该器件由意法半导体(STMicroelectronics)制造,结合了强大的电气性能和易于集成的封装形式,适用于各类电子设备和工业控制系统中。本产品在宽广的工作温度范围内(-20°C至85°C)保持卓越的性能,适合多种环境下的使用。
产品特性
晶体管类型与结构: ULN2069B是一个四路NPN达林顿阵列,采用双极型晶体管技术,能够提供更高的电流增益。这种设计使得器件在驱动大负载时具有出色的效率。
电流规格: 该器件的最大集电极电流(Ic)可达1.75A,非常适合需要驱动电机、灯光和继电器的场合。在实际应用中,该器件可以轻松驱动各种负载,特别是在工业自动化和控制系统中。
电压能力: ULN2069B具有高达80V的集射极击穿电压,这使得它适用于高电压要求的场景。同时,这一特性使得用户在设计电路时可以采用更高的电压,从而提高电流的驱动能力。
饱和压降: 在典型使用条件下,ULN2069B的Vce饱和压降最大为1.5V(在2.25mA和1.5A的条件下),这意味着在高负载条件下,该器件仍能维持相对较低的功耗,提高了驱动效率。
功率处理能力: ULN2069B的最大功率能够达到1W,确保即使在高负载条件下,也能完成工作而不发生过热或击穿,从而延长产品的使用寿命。
封装及安装: 此晶体管阵列采用16引脚PowerDIP封装(PDIP-16),外形尺寸为20x7.10mm,适合于通孔安装。这一设计使得它更容易与PCB集成,节省了空间,便于大规模生产和模块化设计。
应用领域: ULN2069B适用于多个应用领域,包括工业自动化、家用电器、汽车电子以及其他需要稳健驱动的应用场合。它可以用于信号放大、继电器驱动、电机控制及灯光控制等。
应用实例
总结
总之,ULN2069B凭借其高电流、宽电压范围和有效的热管理能力,为各种电子和电力驱动应用提供了理想的解决方案。结合其紧凑的封装和简单的接口设计,该器件毫无疑问是现代电路设计中不可或缺的元件之一,能帮助工程师们在开发高效率、稳定性强的产品时,提高设计灵活性和可靠性。