晶体管类型 | PNP - 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 2.8V @ 40mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 750 @ 2A,3V |
功率 - 最大值 | 40W | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
供应商器件封装 | SOT-32-3 |
BD678A是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的PNP型达林顿晶体管。这款晶体管广泛用于需要高电流增益和开关能力的应用场景。作为一种高性能的功率电子元件,BD678A在各类电力控制和信号处理电路中均表现出色。本产品的设计旨在满足现代电子设备对高效率和高可靠性的需求,尤其是在电机控制、功率放大和其他功率管理应用中。
晶体管类型:BD678A属于PNP型达林顿结构,其具有良好的电流增益特性,能够在较小的输入电流(基极电流)下驱动较大的集电极电流。这使它非常适合用于驱动负载的场合,如电机和继电器。
电流和电压特性:
饱和压降特性:在不同的基极电流和集电极电流条件下,BD678A的Vce饱和压降最大为2.8V @ 40mA, 2A。这一参数表明在开关应用中能有效降低功率损耗,并提高整体能效。
截止电流:BD678A在集电极截止状态下的最大电流为500μA,这意味着在关闭状态时该元器件几乎不消耗电流,从而提高整体电源的效率。
电流增益 (hFE):在2A和3V的条件下,BD678A的DC电流增益最小值为750。高增益保证了信号的有效放大,使其适合用于音频放大和数字信号处理等领域。
功耗和工作温度:BD678A的最大功耗为40W,且具有150°C的工作温度范围,这使得其在各种环境中均能稳定工作。这也是其在高温或高功耗应用中选择的原因之一。
BD678A可采用通孔安装方式,封装形式为SOT-32-3和TO-126-3,适合在各种电路板上进行组装。这种封装设计使得产品在安装和散热方面都具有优势,便于在紧凑空间内有效运作。
BD678A广泛应用于多个领域,包括但不限于:
BD678A PNP达林顿晶体管结合了高电流能力、良好的电压特性和高电流增益,使其成为许多电子设备中不可或缺的元件。无论是在家用电器、工业机械还是音频设备中,其可靠性和性能都能满足严苛的要求。因此,选择BD678A作为您的电路设计的一部分,将为您带来更大的设计灵活性和功效提升。