FQD5P20TM
FQD5P20TM参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 欧姆 @ 1.85A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 430pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），45W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
FQD5P20TM手册
FQD5P20TM概述
FQD5P20TM 产品概述
FQD5P20TM 是一款高性能 P 通道 MOSFET（场效应管），由安森美（ON Semiconductor）公司制造，专为各种高效能要求的电力管理和开关应用设计。该器件采用 D-Pak 封装，适合表面贴装，具备良好的散热性能和较小的占板面积，是现代电子产品中极具优势的选择。
关键参数
漏源电压（Vdss）: FQD5P20TM 的漏源电压最高可达 200V，使得它能够用于高压应用，满足许多工业和消费类电子产品的需求。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境温度下，连续漏极电流为 3.7A。该参数确保了在常用的工作条件下，器件可以稳定可靠地传输电流。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅源电压下，当漏极电流达到 1.85A 时，FQD5P20TM 的最大导通电阻为 1.4Ω。这一特性确保了电流通过时的能量损耗最小化，提高了能效。
栅阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的栅阈值电压最大值为 5V（@250μA），意味着在相对较低的栅电压下，器件能够迅速启动或关闭，适合快速开关应用。
栅极电荷（Qg）: 在栅源电压为 10V 的情况下，栅极电荷最大值为 13nC。这一参数影响开关速度和驱动电路的设计，较低的栅极电荷能加快开关响应。
输入电容（Ciss）: 在 25V 的条件下，最大输入电容为 430pF，表明该器件能够在快速开关条件下保持良好的信号完整性。
工作环境
FQD5P20TM 在 -55°C 至 150°C 的广泛工作温度范围内保证了可靠的性能，适合在各种恶劣环境下使用，包括汽车电子、工业控制和可再生能源系统等。
功率耗散
该 MOSFET 的最大功率耗散为 2.5W（在环境温度下）和 45W（在结温条件下），这表明它可以处理较高的热量，适合在较高功率应用中的使用，有效提高系统的整体性能和可靠性。
应用场景
FQD5P20TM 的高压处理能力、低导通电阻及快速开关特性使其广泛应用于多个领域，包括：
- 电源管理: 用于开关电源、DC-DC 转换器和电源调节电路。
- 电机控制: 在电气驱动和控制系统中，作为电机驱动开关元件。
- 工业自动化: 在工业设备、传感器和控制系统中，用于处理高电流、高电压的场合。
- 汽车电子: 适合用于汽车电源开关、LED 驾驭和电动阀门控制。
封装与兼容性
FQD5P20TM 采用 D-Pak（TO-252）封装，约有 2 个引脚加上一个散热片设计，便于安装和散热。该器件与传统的 P 通道 MOSFET 兼容，方便在许多现有设计中替换使用。
结论
FQD5P20TM 作为一款卓越的 P 通道 MOSFET，凭借其高漏电压、良好的热管理特性和高效能，不仅提升了电力转换和控制的效率，也为设计工程师提供了更大的设计灵活性。这一器件在现代电子设计中，尤其是在高性能电源管理和电动驱动应用中，展现了极高的价值。选用 FQD5P20TM 将是实现高效能和高可靠性的理想选择。