KSC3503DSTU
KSC3503DSTU参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 300V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 2mA，20mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 40 @ 10mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 7W | 频率 - 跃迁 | 150MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 | 供应商器件封装 | TO-126-3 |
KSC3503DSTU手册
KSC3503DSTU概述
KSC3503DSTU 产品概述
KSC3503DSTU 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的高性能 NPN 晶体管，设计用于各种电子应用。作为一个三极管（BJT），它具有优越的电气性能、可靠的工作特性和广泛的工作温度范围，使其适合于多种场合和用途。
基础参数
晶体管类型: KSC3503DSTU 是 NPN 型晶体管，对于电子电路中的开关和放大应用来说，NPN 型晶体管是最常用的选择。它的工作原理是基于电子从集电极流向发射极的设计，适合成为主动元件。
集电极电流 (Ic): 最大集电极电流为 100mA，这意味着该晶体管可以处理较高的电流，非常适合用于中等功率应用，能够驱动负载而不会过载。
集射极击穿电压 (Vce): 最大击穿电压为 300V，显示了其耐高压能力，可广泛应用于高电压环境中。
Vce 饱和压降: 在当集电极电流为 2mA 和 20mA 时，Vce 的饱和压降最大值为 600mV。该参数表明在高电流工作条件下，晶体管可以保持低的电压损耗，提升能效。
集电极截止电流 (ICBO): 该晶体管在关断状态下的截止电流非常低，最大为 100nA。这表示在非导通状态时，器件的漏电流微乎其微，从而延长了电路的保真度和器件的寿命。
DC 电流增益 (hFE): 在 10mA 和 10V 的工作条件下，最小 DC 电流增益为 40。这表明 KSC3503DSTU 在放大作用中的能力，适合用于音频放大器和信号处理电路。
功率: 最大功率为 7W，适合于中等功率应用。该晶体管在合理的散热条件下能够持续稳定地工作。
频率 – 跃迁: 最大跃迁频率为 150MHz，使其适合于高速开关和射频应用。
工作温度范围: 工作温度范围在 -55°C 到 150°C 之间，广泛适用于各种环境条件下，尤其是在恶劣或高温条件下表现优异。
安装类型和封装: KSC3503DSTU 采用通孔安装，封装类型为 TO-126-3，便于集成到电路板设计中，同时兼容多种电路布局。
应用场景
KSC3503DSTU 被广泛应用于多个领域：
- 开关电源: 由于高集电极电流和击穿电压，适用于开关电源设计。
- 音频放大器: 具备较高的增益和低失真特性，适合用于音频信号放大。
- 功率驱动电路: 适合用于驱动中等功率的负载，如电动机控制或LED驱动。
- 通讯设备: 其高频跃迁特性使其适合于高频通讯设备和无线频段应用。
结论
KSC3503DSTU 是一款功能强大且应用广泛的 NPN 晶体管，凭借其高集电极电流、高击穿电压和宽工作温度范围，可以满足多种电子电路的需求。无论是在消费电子、工业控制还是通讯设备中，KSC3503DSTU 始终能够提供可靠的性能和良好的稳定性，是设计师和工程师的理想选择。选择 KSC3503DSTU，无疑是追求高效、稳定和可靠性的明智之选。