FDY100PZ

FDY100PZ 产品概述

FDY100PZ 是一款高性能的 P 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），由安森美（ON Semiconductor）生产。凭借其优异的电气性能、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计，FDY100PZ 是电子电路中信号切换和电源管理应用的理想选择。

规格与特性

• FET 类型: FDY100PZ 为 P 通道 MOSFET，适合需要负压驱动的应用。
• 漏源电压 (Vdss): 该器件承受的最大漏源电压为 20V，适合中低压电源电路。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，最大连续漏极电流可达 350mA，能够满足大多数低功耗应用的需求。
• 导通电阻 (Rds On): 在 4.5V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 1.2Ω @ 350mA，确保了在导通状态下的低功耗损耗。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的测试电流下，最大阈值电压为 1.5V，这表明 FDY100PZ 在较低的栅极电压下即可开始导通，适用于低电压接口的控制。
• 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 1.4nC @ 4.5V，有助于降低驱动电路的功耗，适合快速开关应用。
• 最大栅极-源极电压 (Vgs): 该器件承受的极限栅极电压为 ±8V，提供了一定的过压保护。
• 输入电容 (Ciss): 在 10V 的漏极电压下，输入电容最大值为 100pF，这使得该元件在高频应用中表现出良好的响应速度。
• 功率耗散 (Pd): 最大功率耗散为 625mW。虽然是相对较小的功率处理能力，但对于低功耗应用而言，此参数足以满足设计要求。
• 工作温度范围: FDY100PZ 可在 -55°C ~ 150°C 的极端环境下工作，适合汽车、航空航天及工业控制等严格的温度要求。

封装信息

FDY100PZ 采用 SC-89-3 的表面贴装型封装，其体积小巧，有助于提升电路的集成度。同时，SC-89 封装的设计还确保了良好的散热性能和焊接可靠性，使其在自动化生产中具备较高的适用性。

应用场景

FDY100PZ 的特性使其广泛适用于以下应用场景：

1. 开关电源: 用于电源管理与控制信号的切换。
2. 负载开关: 在电源线路中快速切换负载，控制功耗。
3. 电机控制: 适用于直流电机和步进电机的驱动控制。
4. 信号放大: 在需要信号放大的低功耗电路中表现优异。
5. 汽车电子: 由于其宽温特性，适合应用于汽车灯光控制、座椅调节等系统。

结论

综上所述，FDY100PZ MOSFET 是一款设计精良、性能可靠的 P 通道场效应管，其在低功耗开关、信号放大和负载控制等领域表现出色。安森美通过其先进的制造工艺，使得 FDY100PZ 能够在严苛的工作条件下保持稳定性能，是设计工程师在电子器件方面的极佳选择。无论是在工业自动化、汽车行业，还是在消费电子产品中，FDY100PZ 都是性能优化与可靠性的佼佼者。