IMX8-7-F 产品实物图片
IMX8-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IMX8-7-F

商品编码: BM0084329276
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT26
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 120V 50mA NPN SOT-26
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.74
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.74
--
50+
¥0.511
--
1500+
¥0.465
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

IMX8-7-F参数

晶体管类型2 NPN(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)120V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)180 @ 2mA,6V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁140MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-23-6供应商器件封装SOT-26

IMX8-7-F手册

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无数据

IMX8-7-F概述

IMX8-7-F 产品概述

一、产品背景

IMX8-7-F是一款高性能的NPN型双极性晶体管(BJT),旨在满足现代电子设备中对高频、高效率和广泛工作温度范围的需求。根据最新电子设计的趋势,该器件能够在多种应用场景中提供优秀的性能,特别是在需要高开关速度和稳定性的设备中。

二、产品规格

  1. 晶体管类型:NPN

    • IMX8-7-F使用NPN结构,适合用于开关和放大电路中,特别是在数字电路、模拟信号处理及射频应用中表现优良。
  2. 电流参数

    • 最大集电极电流(Ic):50mA
    • 集电极截止电流(ICBO):500nA
    • 这些电流参数确保IMX8-7-F能够在各种负载条件下稳定工作,适合低功耗的应用。
  3. 电压参数

    • 集射极击穿电压(Vce):120V
    • 此高耐压特性使得该晶体管能够在高压环境中工作而不失效,拓宽了其可应用的电路范围。
  4. 饱和压降

    • Vce饱和压降:最大500mV @ 1mA 和 10mA
    • 较低的Vce饱和压降值能够提高整体电路的能效,降低功耗。
  5. 增益特性

    • DC电流增益(hFE):最小180 @ 2mA, 6V
    • 高增益特性意味着在较低基极电流下,IMX8-7-F能有效放大集电极电流,适合多种放大电路设计。
  6. 功率处理

    • 最大功率:300mW
    • IMX8-7-F设计用以承受适量的功率,保证在满负荷情况下的安全和可靠性。
  7. 频率响应

    • 跃迁频率:140MHz
    • 高跃迁频率适合高频信号的应用,如无线通信、射频放大器等。
  8. 工作温度

    • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
    • 广泛的工作温度范围保证了IMX8-7-F在极端环境中的稳定性,适合工业和汽车电子等领域的应用。
  9. 封装特性

    • 封装/外壳:SOT-26
    • 安装类型:表面贴装型
    • 这种小型封装形式有助于节省空间,非常适用于现代紧凑型电路设计。

三、应用场景

IMX8-7-F适用于多种应用场合,包括但不限于:

  • 数字电路:在逻辑电路和控制电路中用于信号开关。
  • 放大器和信号处理:在音频和射频应用中担当信号放大和变换的角色。
  • 功率管理:用于电源管理电路中,以控制和调节电流。
  • 汽车电子:因其广泛的工作温度范围,该器件适合用于汽车传感器、控制单元等应用。
  • 工业设备:在各种工业控制和监测设备中应用,满足高可靠性和耐用性要求。

四、总结

IMX8-7-F凭借其卓越的电气性能、广泛的工作温度范围和高耐压能力,成为设计师在选择NPN型晶体管时的优先选择。无论是在开关应用还是放大电路设计中,IMX8-7-F都能够提供稳定的性能和高度的可靠性,为现代电子设备的高效运作奠定基础。在未来不断发展的电子领域中,IMX8-7-F将继续为创新提供支撑,推动技术向前发展。