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IPD050N03LGATMA1
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-252-3(DPAK)
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 68W 30V 50A 1个N沟道 TO-252
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.55按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.55
--
100+
￥2.95
--
1250+
￥2.69
--
2500+
￥2.49
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
IPD050N03LGATMA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 68W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3200pF @ 15V |
IPD050N03LGATMA1手册
无数据
IPD050N03LGATMA1概述
产品概述：IPD050N03LGATMA1
基本信息
IPD050N03LGATMA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款高性能 N 沟道场效应管（MOSFET），属于其 OptiMOS™ 系列。该 MOSFET 采用表面贴装型技术（SMD），封装为 TO-252-3（DPAK），是在电子应用中广泛使用的结构，尤其适合对空间要求严格的电路板设计。
关键参数
IPD050N03LGATMA1 MOSFET 的主要电气特性如下：
- 最大漏源电压（Vds）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 50A（在温度条件为 25°C 时）
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大值为 5 毫欧（Vgs = 10V、Id = 30A）
- 功率耗散（Pd）: 最多可达 68W
- 工作温度范围: -55°C 至 175°C，具备出色的热稳定性和可靠性
驱动和性能
该 MOSFET 最佳的驱动电压为 4.5V 至 10V。其栅极电压（Vgs）在最大值为 ±20V 的范围内稳定工作，确保了在多种驱动条件下的灵活性。同时，不同的栅极电压下，器件的栅极电荷（Qg）最大值为 31nC @ Vgs = 10V，而输入电容（Ciss）最大值为 3200pF @ Vds = 15V。这些参数使得该 MOSFET 在高频和快速开关应用中表现优异。
工作温度和环境适应性
IPD050N03LGATMA1 的工作环境温度范围非常宽广，从 -55°C 到 175°C，这使得该器件可以用于严苛的工业及汽车环境。其出色的热性能确保了在高功率应用中，器件可以稳定工作而不至于因过热而损坏。
应用领域
由于其卓越的性能参数，IPD050N03LGATMA1 广泛应用于各类电子设备和电源管理系统中。例如：
- 开关电源（SMPS）：作为输出级开关元件，提高转换效率。
- 电动车驱动控制：在电动车的动力系统中起到关键的连接作用。
- 电机驱动：用于各种电机控制应用，如工业电机驱动。
- 逆变器：在光伏和风能系统中，作为能量转换的核心元件。
- 通信设备：用于高频信号处理中的输出级。
总结
综上所述，IPD050N03LGATMA1 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET，凭借其优秀的电气性能和广泛的应用范围，成为了现代电子设计中不可缺少的基本元件。英飞凌科技的优势在于合并高质量、创新与可持续性，确保该产品在多变的市场需求中能够持续满足设计者与工程师的不同需求。对于需要增加系统效率、减少功耗的设计来说，IPD050N03LGATMA1 无疑是一个理想选择。