STGWA80H65DFB 产品实物图片
STGWA80H65DFB 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STGWA80H65DFB

商品编码: BM0084329271
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-247 长引线
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
IGBT-沟槽型场截止-650V-120A-469W-通孔-TO-247-长引线
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
46.07
按整 :
管(1管有600个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥46.07
--
10+
¥41.13
--
600+
¥39.55
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

STGWA80H65DFB参数

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2V @ 15V,80A反向恢复时间 (trr)85ns
电压 - 集射极击穿(最大值)650VIGBT 类型沟槽型场截止
开关能量2.1mJ(开),1.5mJ(关)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)120A
测试条件400V,80A,10 欧姆,15V栅极电荷414nC
安装类型通孔输入类型标准
功率 - 最大值469W工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
25°C 时 Td(开/关)值84ns/280ns电流 - 集电极脉冲 (Icm)240A

STGWA80H65DFB手册

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STGWA80H65DFB概述

产品概述:STGWA80H65DFB IGBT

引言

STGWA80H65DFB是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅型双极晶体管(IGBT),该器件设计用于高电压和高电流的应用,特别适用于电力电子的控制与变换。凭借其在650V的电压等级和高达120A的最大集电极电流,STGWA80H65DFB非常适合于逆变器、电机驱动器和其他功率转换器件。

关键特性

  1. 电压和电流能力:该IGBT具备650V的集射极击穿电压(Vce),在高达120A的集电极电流(Ic)下,能够满足多种高功率应用需求。在控制脉冲电流方面,其脉冲集电极电流(Icm)达到240A,提供了极好的瞬态性能。

  2. 低导通压降:STGWA80H65DFB在测试条件(400V,80A,10欧姆,15V)下,最大集电极-发射极导通压降(Vce(on))可低至2V,这对于降低功率损耗至关重要。这一特性在支撑高效率功率转换时尤为重要。

  3. 快速开关特性:该器件的反向恢复时间(trr)为85ns,开关能量在开机时的表现为2.1mJ,关机时为1.5mJ,这一特性使得该IGBT在动态应用中能有效降低开关损失,提高系统效率。

  4. 工作温度范围:STGWA80H65DFB支持宽广的工作温度范围,从-55°C到175°C,适合于各种苛刻环境下的应用,保证了其在高温或低温环境下的可靠性。

  5. 栅极电荷和驱动特性:在给定的工作条件下,该IGBT的栅极电荷为414nC,标志着其对驱动电路的要求适中,使其能够与标准的栅极驱动策略兼容,降低开发和实施的复杂性。

  6. 封装和安装类型:该产品采用TO-247长引线封装,支持通孔安装,方便用户在实际应用中的集成与散热。

应用场景

STGWA80H65DFB IGBT广泛应用于各种电力电子设备,如:

  • 逆变器:在可再生能源、储能系统及电动汽车中使用。
  • 电机驱动:用于工业自动化、建筑物电梯、家电和其他需要电动机控制的设备。
  • 开关电源:如电力转换器和高频变换器等。
  • 焊接设备:在点焊、氩弧焊等应用中,提供高电流和可靠控制。

总结

STGWA80H65DFB IGBT凭借其高电压耐受、优越的开关性能和较低的导通损耗,使其成为电力电子领域的理想选择。结合其广泛的应用场景,该器件满足了现代工业对高效能和高可靠性的电力控制需求。通过使用STGWA80H65DFB,设计工程师能够推动系统性能的提升,同时也保障了设备在复杂工况下的稳定运行。