不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,80A | 反向恢复时间 (trr) | 85ns |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
开关能量 | 2.1mJ(开),1.5mJ(关) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 120A |
测试条件 | 400V,80A,10 欧姆,15V | 栅极电荷 | 414nC |
安装类型 | 通孔 | 输入类型 | 标准 |
功率 - 最大值 | 469W | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
25°C 时 Td(开/关)值 | 84ns/280ns | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240A |
STGWA80H65DFB是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅型双极晶体管(IGBT),该器件设计用于高电压和高电流的应用,特别适用于电力电子的控制与变换。凭借其在650V的电压等级和高达120A的最大集电极电流,STGWA80H65DFB非常适合于逆变器、电机驱动器和其他功率转换器件。
电压和电流能力:该IGBT具备650V的集射极击穿电压(Vce),在高达120A的集电极电流(Ic)下,能够满足多种高功率应用需求。在控制脉冲电流方面,其脉冲集电极电流(Icm)达到240A,提供了极好的瞬态性能。
低导通压降:STGWA80H65DFB在测试条件(400V,80A,10欧姆,15V)下,最大集电极-发射极导通压降(Vce(on))可低至2V,这对于降低功率损耗至关重要。这一特性在支撑高效率功率转换时尤为重要。
快速开关特性:该器件的反向恢复时间(trr)为85ns,开关能量在开机时的表现为2.1mJ,关机时为1.5mJ,这一特性使得该IGBT在动态应用中能有效降低开关损失,提高系统效率。
工作温度范围:STGWA80H65DFB支持宽广的工作温度范围,从-55°C到175°C,适合于各种苛刻环境下的应用,保证了其在高温或低温环境下的可靠性。
栅极电荷和驱动特性:在给定的工作条件下,该IGBT的栅极电荷为414nC,标志着其对驱动电路的要求适中,使其能够与标准的栅极驱动策略兼容,降低开发和实施的复杂性。
封装和安装类型:该产品采用TO-247长引线封装,支持通孔安装,方便用户在实际应用中的集成与散热。
STGWA80H65DFB IGBT广泛应用于各种电力电子设备,如:
STGWA80H65DFB IGBT凭借其高电压耐受、优越的开关性能和较低的导通损耗,使其成为电力电子领域的理想选择。结合其广泛的应用场景,该器件满足了现代工业对高效能和高可靠性的电力控制需求。通过使用STGWA80H65DFB,设计工程师能够推动系统性能的提升,同时也保障了设备在复杂工况下的稳定运行。