安装类型 | 通孔 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 80A |
栅极电荷 | 306nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,60A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240A |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 开关能量 | 1.59mJ(开),900µJ(关) |
测试条件 | 400V,60A,10 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 375W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 66ns/210ns | 反向恢复时间 (trr) | 60ns |
STGWA60H65DFB 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能沟槽型场截止绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有高电压和高电流能力,特别适合各种工业和电力电子应用。这款IGBT的最大集电极电流(Ic)为80A,能够承受最高650V的集射极击穿电压,确保在恶劣的工作环境下,仍然能够保持良好的性能和稳定性。
STGWA60H65DFB IGBT广泛应用于各种需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括:
STGWA60H65DFB是一款性能卓越的IGBT,结合了高电压、高电流能力以及快速的开关特性,为工程师在各种电力电子应用中提供了更加灵活和高效的设计选择。凭借其广泛的应用范围、可靠的性能和强大的工作能力,STGWA60H65DFB已经成为现代电力电子设计中不可或缺的关键元件之一。对于需要高效、可靠的功率转换解决方案的工程师和设计师来说,STGWA60H65DFB无疑是一个极具吸引力的选择。