晶体管类型 | PNP - 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 8A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 4V @ 80mA,8A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 4A,4V |
功率 - 最大值 | 20W | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK |
产品概述 MJD127T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能 PNP 达林顿晶体管,采用 DPAK 封装,适用于各类需要高电流和高电压的电子应用。其强大的性能特征使其成为功率控制、开关电源、马达驱动以及音频放大等领域的理想选择。
基本特性 MJD127T4 的最大集电极电流(Ic)为 8A,能够承受的集射极击穿电压(Vce)达到 100V。这使得它能够在高负载条件下稳定工作。对于设计师而言,MJD127T4 的这些参数提供了良好的灵活性,以应对各种电路设计需求。
饱和压降 在使用 MJD127T4 时,设计者需要考虑其饱和压降(Vce(sat)),在 Io = 8A、Ib = 80mA 条件下,其 Vce 饱和压降最大值为 4V。这意味着在高电流应用中,设计者应评估 Vce(sat) 对系统效率的影响,尤其是在功率转换应用中。
电流增益 MJD127T4 具备卓越的 DC 电流增益(hFE),在 Ic = 4A、Vce = 4V 时的最小值高达 1000。这一高增益特性使得 MJD127T4 在低控制电流时即可驱动较高的负载电流,广泛适用于需要强控制能力和高效率的电子设备。
功率处理能力和工作温度 MJD127T4 的最大功率为 20W,确保其在高功率应用中的可靠运行。更重要的是,MJD127T4 的工作温度可高达 150°C,适合于高温环境和长时间运行的应用。这一耐高温特性确保了其在苛刻条件下的持久性和稳定性。
安装类型和封装 MJD127T4 采用表面贴装型 (SMD) 的 DPAK 封装,这种封装形式方便了自动化焊接过程,减少了生产成本,同时也简化了PCB设计,降低了占用空间。DPAK 设计提供较高的散热能力,进一步提高了其在高功率应用中的表现。
应用领域 MJD127T4 被广泛应用于许多领域,包括:
总结 总而言之,MJD127T4 是一款性能优越的 PNP 达林顿晶体管,凭借其高电流增益、卓越的功率处理能力及宽广的工作温度范围,在许多电子应用中提供可靠的解决方案。设计师可以利用 MJD127T4 的特点,将其用于各种高效能和高可靠性的电子设备中,有效提升整个系统的性能和稳定性。