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SI3440DV-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
6-TSOP
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.76按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.76
--
100+
￥1.41
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750+
￥1.25
--
1500+
￥1.19
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3000+
￥1.13
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI3440DV-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 375 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 1.14W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
SI3440DV-T1-GE3手册
无数据
SI3440DV-T1-GE3概述
SI3440DV-T1-GE3 产品概述
产品简介
SI3440DV-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司生产的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），此种元器件以其优异的电性能和可靠性在各类电子设备中得到广泛应用。该器件采用了新型的 TrenchFET® 技术，使其在漏源电压（Vdss）及漏极电流（Id）等关键参数上具备出色的表现，适合用于电源管理、DC-DC 转换器和电动机驱动等多个领域。
关键参数
- FET 类型: N 通道 MOSFET
- 技术: TrenchFET®
- 漏源电压 (Vdss): 150V
- 连续漏极电流 (Id): 1.2A（环境温度：25°C）
- 最大漏极电流 (Idm): 6A
- 驱动电压（Vgs）: 6V 至 10V
- 最大导通电阻 (Rds On): 375 mΩ @ 1.5A，10V
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大值 8nC @ 10V
- 最大栅源电压 (Vgs): ±20V
- 功率耗散 (P): 最大值 1.14W（环境温度）
- 工作温度范围 (TJ): -55°C ~ 150°C
- 封装类型: 6-TSOP / SOT-23-6
应用领域
由于其出色的性能，SI3440DV-T1-GE3 适合应用于多种电子和电气设备中，包括但不限于：
- 电源管理系统：该 MOSFET 能够提供高效率的开关控制，适用于开关电源（SMPS）及 DC-DC 转换电路。
- 电动机驱动：对于需高电流和快速切换的电动机控制系统，该器件可以有效管理电流流动，提高整体系统的响应速度和效率。
- 消费电子产品：在个人电子设备、家用电器和便携式设备中，SI3440DV-T1-GE3 有助于优化功率转换和节能。
- 逆变器系统：该器件的高耐压和优异的频率响应性能，使其在逆变器和其他电力转换设备中的应用成为可能。
产品优势
- 高效率: TrenchFET® 技术的使用显著降低了导通电阻（Rds On），从而在工作时减少了功率损耗，提高了整体效率。
- 宽工作温度范围: 该器件可在 -55°C 至 150°C 的极端环境下稳定工作，适合广泛的工业和汽车应用。
- 小型封装: 采用 SOT-23-6 的封装形式，帮助设计者节省电路板空间，同时保持强大的性能输出。
- 强大的载流能力: 该 MOSFET 支持高达 6A 的脉冲电流，适应更为严苛的应用场合。
结论
SI3440DV-T1-GE3 是一款结合了高性能和灵活性的 N 通道 MOSFET。凭借其出色的电气特性、广泛的应用场景及适应性，无论在工业还是消费电子领域，此器件都展示了 VISHAY 在 MOSFET 技术领域的领先地位。工程师在进行电路设计时，可以信赖该产品为系统提供高效、稳定的解决方案。