PZT751T1G
PZT751T1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 200mA，2A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 75 @ 1A，2V | 频率 - 跃迁 | 75MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60V |
| 功率 - 最大值 | 800mW | 基本产品编号 | PZT751 |
PZT751T1G手册
PZT751T1G概述
产品概述：PZT751T1G
PZT751T1G是一款由安森美（ON Semiconductor）制造的高性能PNP型三极管，具有卓越的电气特性和广泛的应用场景。该器件旨在满足现代电子设备对高效率、低功耗和小型化的需求。
基本参数
制造商：安森美（ON Semiconductor）
产品状态：有源
封装类型：该器件采用SOT-223封装，具体封装形式为TO-261-4和TO-261AA，适合表面贴装型（SMT）应用。
电流和电压特性：
- 集电极电流（Ic）最大值：2A，适用于高电流应用。
- 集射极击穿电压（Vce(max)）：60V，确保器件能够在高压环境中稳定工作。
- 功率（最大值）：800mW，适合需要高功率耗散能力的应用。
- 集电极截止电流（ICBO(max)）：100nA，表示该器件在关闭时保持良好的漏电特性。
电流增益（hFE）：在1A的工作条件下，DC电流增益最小值为75@2V，表明其具有良好的信号放大能力，适合线性放大应用。
饱和压降（Vce(sat)）：不同的集电极电流和基极电流下，最大饱和压降为500mV，具体适用范围为200mA到2A。这一特性对于保证功率效率至关重要。
频率：跃迁频率为75MHz，使其能够在高速开关应用中有效工作。
工作温度：该三极管的使用温度范围广，最高可达150°C（TJ），可以在恶劣环境条件下可靠工作。
应用领域
PZT751T1G三极管由于其优异的电气特性，广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 工业控制：适用于电机驱动、传感器接口和自动化工艺控制。
- 消费电子：可用于音频放大器、电源管理和各种家庭电子产品中。
- 通信设备：在无线通信设备中提供信号放大和功率驱动的解决方案。
- 汽车电子：适合用于汽车控制单元、灯光控制及传感器驱动。
安装与兼容性
PZT751T1G采用SOT-223-4的封装形式，具有优良的散热特性且适合于表面贴装（SMT）工艺，便于自动化焊接。该三极管可以与传统的PCB设计兼容，且在空间受限的应用中，非常适合。
整体评价
PZT751T1G三极管集成了高效的电流与电压处理能力、良好的增益特性和优越的散热性能，完全能够满足现代电子器件对高性能元件的需求。无论是在大功率放大，还是在高频开关应用中，该器件均能展现出可靠的性能。
综上所述，PZT751T1G是一款高效、可靠的PNP型三极管，因其多样的应用能力和优良的工作性能，成为了电子设计工程师在选型时的理想选择。无论在工业控制、消费电子，还是汽车电子等应用领域，该器件都展现了其优异的性价比，推动着电子领域的发展与创新。