NTR4501NT1G
NTR4501NT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Tj） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 200pF @ 10V |
| 基本产品编号 | NTR450 |
NTR4501NT1G手册
NTR4501NT1G概述
产品概述：NTR4501NT1G MOSFET
制造商背景
NTR4501NT1G 是由 ON Semiconductor（安森美）制造的一款高性能 N 通道 MOSFET。作为一家全球领先的半导体解决方案提供商，ON Semiconductor 专注于能源效率和高效能的电源管理产品。NTR4501NT1G 继承了 ON Semiconductor 在 MOSFET 设计与制造领域的丰富经验，适用于广泛的应用场景。
基本特性
NTR4501NT1G MOSFET 采用 SOT-23-3（TO-236）封装，适合表面贴装，具有优良的电气特性和热性能。它的主要电气参数如下：
- 漏极连续电流 (Id)：3.2A（在25°C下）
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 驱动电压 (Vgs)：提供两种选择，分别为 1.8V 和 4.5V，确保满足不同负载的驱动需求
- 导通电阻 (Rds(on))：最大 80mΩ（在 Id=3.6A，Vgs=4.5V 下）
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大 1.2V（在 250µA 下）
- 功率耗散 (Pd)：最大1.25W（在 Tj 下运行）
这些优良的电气特性使得 NTR4501NT1G 适合用于多种电源开关和信号处理应用。
工作温度范围
NTR4501NT1G 的工作温度范围非常广泛，从 -55°C 到 150°C，确保其在极端环境下的可靠性和稳定性。这一特性使其非常适合在恶劣环境下工作的应用，如汽车、工业控制和航空航天等领域。
电气性能与效率
在 NTR4501NT1G 中，较低的导通电阻 (Rds(on)) 和较小的栅极电荷 (Qg) 能有效降低开关损耗，提高动态性能。其最大栅极电荷为 6nC（在 Vgs=4.5V 下），使其在高频开关应用中表现出色。这种低损耗设计不仅提高了整体系统效率，还有助于降低热生成，延长系统组件的使用寿命。
应用场景
NTR4501NT1G 的设计使其适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：用于 DC-DC 转换器和电源开关，能够有效控制电流和电压，保持系统稳定。
- 汽车电子：在电动汽车及混合动力汽车中，以更高的能效满足严格的能源消耗标准。
- 工业控制：可用于功率放大器和驱动器，适合负载控制和实现更高的系统集成度。
- 消费电子：例如手机、笔记本电脑等设备中的电源管理，以减小体积和重量，提高系统性能。
结论
综上所述，NTR4501NT1G 作为一款高效的 N 通道 MOSFET，具备了优异的电气性能和适应极端工作环境的能力，确保其在各种复杂应用中的可靠性和稳定性。ON Semiconductor 为这一系列 MOSFET 提供了全方位的技术支持，确保客户在开发和设计过程中能够充分利用这些先进的半导体器件。无论是消费类电子设备，还是对性能要求极高的工业应用，NTR4501NT1G 无疑是一个值得信赖的选择。