NCV2903DR2G
NCV2903DR2G参数
| 类型 | 通用 | 元件数 | 2 |
| 输出类型 | CMOS，DTL，ECL，MOS，开路集电极，TTL | 电压 - 供电，单/双 (±) | 2V ~ 36V，±1V ~ 18V |
| 电压 - 输入补偿（最大值） | 7mV @ 30V | 电流 - 输入偏置（最大值） | 0.25µA @ 5V |
| 电流 - 输出（典型值） | 16mA @ 5V | 电流 - 静态（最大值） | 2.5mA |
| 传播延迟（最大值） | 1.3µs | 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
NCV2903DR2G手册
NCV2903DR2G概述
NCV2903DR2G 产品概述
产品简介
NCV2903DR2G 是由安森美（ON Semiconductor）生产的一款高性能双路比较器，采用8-SOIC封装，广泛应用于各类电子电路中的信号处理与集成，是设计小型和高效电路系统的理想选择。该比较器具有极低的输入偏置电流和高达125°C的工作温度范围，使其适用于严苛条件下的工业及汽车电子应用。
主要特性
高电压范围：NCV2903DR2G 的供电电压范围为2V至36V（单电源）和±1V至±18V（双电源），为设计者提供了灵活的电源设计选择。
低输入偏置电流：该器件的输入偏置电流最大值为0.25µA @ 5V，适合用于信号较弱的应用场合，降低了输入信号的损耗，有助于提高信号的完整性。
低输入补偿电压：输入补偿电压的最大值为7mV @ 30V，使得该比较器在处理微小信号时表现出色，适用于需要高精度比较的应用。
典型输出电流：NCV2903DR2G 的输出电流典型值达到16mA @ 5V，能够支持多种逻辑电平的驱动需求，包括CMOS、TTL等，确保其能与多种逻辑电路无缝配合。
低静态电流：器件最大静态电流为2.5mA，有助于降低系统功耗，尤其在电池供电的应用中尤为重要。
传播延迟
NCV2903DR2G 的最大传播延迟为1.3µs，这使得该产品在快速响应应用中表现优异。高速响应能力对于实时系统和高刷新率的应用至关重要，如图像处理和快速开关控制。
操作温度范围
产品能够在-40°C至125°C的温度范围内稳定工作，充分满足苛刻环境下的应用需求。无论是在汽车电子、工业控制还是极端温度下的设备，该比较器都能够保持可靠性和性能。
封装与安装
NCV2903DR2G 采用8-SOIC封装，宽度为3.90mm，适合表面贴装技术（SMT）。这一优点使得其在空间受限的应用中优势明显，更方便与现代生产工艺相结合。
应用领域
由于其卓越的性能参数，NCV2903DR2G 广泛应用于以下领域：
- 汽车电子：包括电池监控系统、传感器信号处理以及汽车控制系统中。
- 工业控制：例如温度监测、压力传感器应用，以及各类自动化设备。
- 消费电子：用于信号比较、数据转换器前端电路等场景。
- 医疗设备：对信号精度要求极高的医疗电子产品。
结论
综上所述，NCV2903DR2G 是一款高性能的双路比较器，凭借其高供电电压范围、低输入偏置电流、快速传播延迟及宽广的工作温度范围等优势，为电子系统设计提供了极大的灵活性与可靠性。无论是在高温、高压，还是复杂信号的处理场合，NCV2903DR2G 都能成为设计者的有力助手，是各类高性能电路的合适选择。