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MT29F2G08ABAEAWP:E 产品实物图片
MT29F2G08ABAEAWP:E 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MT29F2G08ABAEAWP:E

商品编码: BM0084329203
品牌 : 
micron(镁光)
封装 : 
48-TSOP I
包装 : 
编带
重量 : 
0.95g
描述 : 
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 48-Pin TSOP-I Tray
库存 :
28(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
11
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥11
--
100+
¥10.5
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

MT29F2G08ABAEAWP:E参数

存储器类型非易失存储器格式闪存
技术闪存 - NAND存储容量2Gb (256M x 8)
存储器接口并联电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
工作温度0°C ~ 70°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)供应商器件封装48-TSOP I

MT29F2G08ABAEAWP:E手册

MT29F2G08ABAEAWP:E概述

MT29F2G08ABAEAWP:E 产品概述

一、产品基本信息

MT29F2G08ABAEAWP:E是一款由镁光(Micron)公司生产的高性能SLC NAND闪存。其设计旨在为各种嵌入式应用提供稳定和可靠的非易失存储解决方案。这款闪存器件采用并行接口方式,具有2Gb的存储容量,配置为256M x 8位。这对于需要高速度和高可靠性的存储应用尤其重要。

二、技术规格

  • 存储器类型:非易失性存储器,保证在断电后的数据持久性。
  • 存储器格式:闪存,允许快速读写操作,同时提供随机访问能力。
  • 技术类型:采用SLC(单级单元)NAND技术,这种类型的NAND闪存以其高写入耐久性和较低的错误率而受到广泛欢迎。
  • 存储容量:2Gb(256M x 8),适合存储大量数据,能够满足许多嵌入式设备的需求。
  • 存储器接口:并行接口设计,使其可以与许多常见的微控制器和处理器直接连接,提高系统集成的灵活性。
  • 供电电压:工作电压范围在2.7V至3.6V之间,适合于各种电池供电的嵌入式设备。
  • 工作温度:0°C至70°C的工作温度范围满足了大多数消费电子和工业应用的环境要求。

三、封装与安装

MT29F2G08ABAEAWP:E采用48-TSOP I(薄型小型封装)形式,封装尺寸为48引脚,宽度约为18.40mm,长度为0.724英寸。这种紧凑的设计非常适合于空间受限的应用场合,如移动通信设备、消费电子、工业控制器等。

四、应用场景

得益于其高可靠性和性能优势,MT29F2G08ABAEAWP:E闪存广泛应用于多种行业,包括但不限于:

  1. 消费电子:如数码相机、智能手机和其他便携式设备中,提供快速数据存储与读取能力。
  2. 工业应用:用于嵌入式系统、工业控制器、数据记录器等,实现数据的稳定存储。
  3. 汽车电子:得益于其耐高温和对电源波动的良好适应性,广泛应用于车载系统中的数据存储。
  4. 通讯设备:提供了高效的数据缓存和存储功能,以支持快速的数据传输和处理需求。

五、优势与特点

  • 高耐久性:由于采用SLC技术,此类型闪存具有很好的写入和擦除耐久性,适合频繁写入的数据应用场景。
  • 快速读写速度:通过并行接口,MT29F2G08ABAEAWP:E能够实现高数据传输速率,满足对速度有高需求的应用。
  • 低功耗设计:适合于便携设备,可有效延长电池寿命,减小热量的产生。
  • 易于集成:符合常见封装标准,不同厂商的兼容性好,便于系统设计。

六、总结

MT29F2G08ABAEAWP:E是镁光推出的一款性能卓越的SLC NAND闪存,具备优异的耐久性与速度,对于需要高速、可靠、非易失性存储的应用场景提供了完美的解决方案。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,这款闪存都能满足多样的需求,帮助设计师实现更高效、更稳定的系统设计。结合其技术先进性与市场需要,MT29F2G08ABAEAWP:E无疑是现代电子系统中不可或缺的核心组件之一。