FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 205 毫欧 @ 7.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 58nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 760pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 66W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | IPAK(TO-251) |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
产品简介
IRFU5410PBF 是英飞凌(Infineon)生产的一款高性能 P 通道 MOSFET(场效应管),该器件具有优异的电气特性和高效率,广泛应用于电源管理和开关电源等技术领域。其额定漏源电压(Vdss)为100V,持续漏电流(Id)可达13A,适用于驱动电压为10V的多种电路。IRFU5410PBF 的结构采用优质的 MOSFET 技术,确保了其在高温和高压环境下的可靠性和稳定性。
电气特性
IRFU5410PBF 的主要电气特性包括:
热特性与散热能力
IRFU5410PBF 具备出色的功率耗散能力,最大功率耗散可达66W(Tc)。这使得其在高负载运行时仍能保持良好的温度特性,适用于对热管理要求较高的设备。该器件的工作温度范围宽广,从-55°C 低温到150°C 高温,即使在极端温度环境中,也能可靠工作,适用于航空航天、工业控制等高要求场合。
封装与安装
IRFU5410PBF 采用 TO-251(IPAK)封装,具有三条短引线的设计,便于通孔安装。这种封装形式不仅有助于改善散热性能,还节省了PCB板的空间,非常适合密集布线的应用环境。
应用领域
凭借其出色的电气特性和热性能,IRFU5410PBF 在多个领域展现了广泛的应用潜力,主要包括:
总结
综上所述,IRFU5410PBF 是一款设计精良、性能卓越的 P 通道 MOSFET,具备多样化的电气特性,适应于高压、高电流和广泛的工作温度条件。在现代电气和电子应用中,凭借其可靠性和效率,该器件无疑成为了设计工程师的首选之一。无论是在电源管理、工业应用还是新能源领域,IRFU5410PBF 都展现出广泛的应用前景和市场需求。