M24C04-DRDW3TP/K
M24C04-DRDW3TP/K参数
| 存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | EEPROM |
| 技术 | EEPROM | 存储容量 | 4Kb （512 x 8） |
| 存储器接口 | I²C | 时钟频率 | 1MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 4ms | 访问时间 | 450ns |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 5.5V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
M24C04-DRDW3TP/K手册
M24C04-DRDW3TP/K概述
M24C04-DRDW3TP/K 产品概述
概述
M24C04-DRDW3TP/K 是由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产的一款高性能 EEPROM （电可擦可编程只读存储器）。该产品具有4Kb的存储容量，采用I²C接口，适用于需要非易失性存储的多种应用场景。这款EEPROM的工作电压范围广泛（1.7V至5.5V），同时具备-40°C至125°C的工作温度范围，使其非常适合在极端环境条件下使用。
主要特性
存储容量：M24C04-DRDW3TP/K 的存储容量为4Kb（512 x 8），可以满足许多应用对存储空间的需求，尤其是在保存小量数据和配置信息时。
接口：该芯片采用标准的I²C通信协议，易于与各种微控制器和处理器进行集成，简化了系统设计，减轻了通信复杂度。
时钟频率：支持高达1MHz的时钟频率，保证了数据的快速传输和高效的读写操作。
写入周期：其写周期时间为4ms，提供了良好的写入效率，满足大部分应用的性能要求。
访问时间：450ns的访问时间确保了设备在进行数据读写时的快速响应能力。
电源电压范围：该产品的供电电压范围为1.7V ~ 5.5V，支持广泛的供电条件，适应各种电源设计要求。
工作温度：能够在-40°C ~ 125°C的温度范围内稳定工作，非常适合严苛的工业和汽车等环境。
封装类型：M24C04-DRDW3TP/K采用8-TSSOP封装，尺寸小巧，适合于空间有限的应用场合，同时也适合表面贴装的生产工艺。
应用领域
M24C04-DRDW3TP/K EEPROM的应用场景广泛，包括但不限于以下几个领域：
- 工业控制：用于存储配置信息、校准数据及其他不可更改的参数。
- 汽车电子：在汽车电子系统中存储关键数据，如车辆设置和诊断信息。
- 消费电子：可以在小型消费电子产品中使用，保存用户设置和状态信息。
- 智能家居设备：支持智能家居控制器或传感器的数据存储需求。
- 医疗设备：在维护设备的运行状态及用户数据时，保证信息的持久性。
性能优势
M24C04-DRDW3TP/K 提供了优良的非易失性存储解决方案，是数据持久化的理想选择。其低功耗特性和宽广的电压范围使其可以适用于电池供电的设备，减少对能量的消耗。此外，具备的广泛温度适应性使其可以在恶劣环境中稳定工作，提供可靠的数据存储解决方案。
结论
M24C04-DRDW3TP/K是意法半导体推出的一款功能强大且灵活应用的EEPROM产品，凭借其优异的性能和丰富的特性，使其非常适合现代电子设备的各种应用。其广泛的应用范围和灵活的设计，确保能够满足市场对高可靠性、高性能非易失性存储设备的需求。无论是用于工业控制、汽车电子，还是消费级产品，M24C04-DRDW3TP/K 都能够为设计师提供高效、可靠的数据存储解决方案。