存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
技术 | FLASH - NOR | 存储容量 | 128Mb (16M x 8,8M x 16) |
存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字,页 | 70ns |
访问时间 | 70ns | 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 供应商器件封装 | 56-TSOP |
M29W128GL70N6E 产品概述
概述
M29W128GL70N6E 是一款高性能的闪 memória 存储器,采用 NOR 类型的非易失性存储技术,提供 128Mb(16M x 8 或 8M x 16)的存储容量。这款存储器主要针对需要快速数据存取和高可靠性的应用场景,特别是在消费电子、工业设备和汽车电子等领域得到了广泛应用。其兼容的供应电压范围为 2.7V 至 3.6V,使其适应多种电源环境。
主要特点
存储类型与技术:M29W128GL70N6E 使用的是 NOR 型闪存技术,这使得该器件具有随机读取的优越性能,尤其适用于执行代码(XIP,Execute In Place)和实时操作系统(RTOS)等场景。非易失性特性确保在断电情况下数据依然保存,满足实时数据监测和控制的需求。
性能参数:
电源供电:M29W128GL70N6E 的供电电压范围为 2.7V 至 3.6V,支持低功耗设计。这种低电压操作意味着它可以在更为严格的功耗要求和热设计约束下运行,非常适合现代节能电子产品的需求。
工作温度范围:该产品的工作温度范围从 -40°C 到 85°C,这使得 M29W128GL70N6E 能够在极端环境条件下保持稳健的性能,确保其在工业及汽车应用中都具有可靠性和稳定性。
封装与安装类型:M29W128GL70N6E 采用 56-TSOP 封装,安装方式为表面贴装型(SMD),具有较小的占板面积,便于在高密度电路板上实现。此封装设计简化了安装过程并提高了产品的整体焊接可靠性。
应用场景
M29W128GL70N6E 产品由于其卓越的性能和宽广的工作温度范围,被广泛应用于多个领域:
结论
总的来说,M29W128GL70N6E 是一款兼具高性能、低功耗和广泛工作温度范围的 NOR 型闪存器件,凭借其非易失性特性以及优越的读写速度,成为众多应用场合中的理想选择。无论是在要求高效数据存储的消费电子产品,还是在恶劣环境下工作的工业设备及汽车电子产品中,M29W128GL70N6E 都能够提供可靠的支持和卓越的性能。通过其灵活的电源兼容性和高效的性能指标,确保应用系统的稳定性与效率,为开发者和设计工程师提供更多灵活设计空间与解决方案。