CSD25402Q3A
CSD25402Q3A参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.9 毫欧 @ 10A，4.5V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 76A（Tc） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1790pF @ 10V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.7nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），69W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.15V @ 250µA |
CSD25402Q3A手册
CSD25402Q3A概述
CSD25402Q3A 产品概述
产品简介
CSD25402Q3A 是由德州仪器（Texas Instruments）推出的一款 P-沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高效能和高可靠性应用而设计。该器件采用表面贴装型封装（8-VSON, 3.3mm x 3.3mm），其优异的性能使其在现代电子设备中广泛应用，尤其是在功率管理、开关电源和电池管理系统等场合。
基础参数
CSD25402Q3A 的核心参数包括最大漏极电流（Id）为76A，工作电压范围为20V，功率耗散最大值为2.8W（环境温度下）及69W（结温下）。该MOSFET 在不同的栅源电压（Vgs）下，最大导通电阻（Rds(on)）为8.9毫欧，以确保通过电流时的能量损耗极小，从而提高整体效率。
性能特点
优异的导通特性：在栅源电压为4.5V和10A 时，CSD25402Q3A 的最大导通电阻为8.9mΩ，保证了在高电流条件下的极低功率损耗。
低栅极电荷：在4.5V的栅源电压下，该器件的最大栅极电荷（Qg）为9.7nC，意味着在开关过程中能更快地驱动和切换，降低开关损耗。
宽工作温度范围：其工作温度范围为-55°C到150°C，适应严酷环境下的应用需求，增加了其在工业设备和汽车电子领域的适用性。
高输入电容：在10V的漏源电压（Vds）时，最大的输入电容（Ciss）为1790pF，提供出色的稳态性能。
易于驱动：该MOSFET 的最大栅源电压（Vgs）为±12V，可以兼容多种驱动电压，适应不同设计需求。
应用场景
CSD25402Q3A 主要用于需要高电流开关的场合，特别是在以下几个领域中表现出色：
- 开关电源（SMPS）：在电源转换和稳压应用中，作为开关元件用以提高能效。
- 电池管理系统：在电池充放电中控制电流，通过其优异的导通特性实现高效充电。
- DC-DC 转换器：作为升压或降压转换器的关键开关元件，提供高效的能量转换。
- 电机控制：在无刷电机驱动应用中，控制电流以实现精确控制和高效运行。
封装特性
CSD25402Q3A 采用的8-VSON封装，具有小型化和低热阻的优点，使得其在空间受限的应用中依然能够保持良好的散热性能，适用于现代微型化电子设备。
结论
综上所述，CSD25402Q3A 是一款高性能的 P-沟道 MOSFET，具备低功耗、高电流处理能力及广泛的适用性。凭借德州仪器在半导体领域的技术积累和质量保证，该器件为设计工程师提供了一个可靠的选择，可以满足各种复杂应用条件下的性能要求，为实现高效能电子系统贡献力量。