MT47H64M16HR-25E:H

产品概述

产品名称： MT47H64M16HR-25E:H
品牌： Micron（镁光）
存储器类型： 易失性存储器
存储器格式： DRAM (动态随机访问存储器)
技术： SDRAM - DDR2
存储容量： 1Gb (64M x 16)
存储器接口： 并联（Parallel Interface）
时钟频率： 400MHz
写周期时间 - 字，页： 15ns
访问时间： 400ps
电压 - 供电： 1.7V ~ 1.9V
工作温度： 0°C ~ 85°C
安装类型： 表面贴装型
封装/外壳： 84-TFBGA
供应商器件封装： 84-FBGA（8x12.5）

产品简介

MT47H64M16HR-25E:H是Micron公司生产的一款高性能DDR2 SDRAM存储器，特别设计用于满足现代电子设备对快速数据存储和处理的需求。作为一种易失性存储器，MT47H64M16HR-25E:H在掉电后会丢失存储的信息，因此特别适用于需要快速读写操作但对持久性存储要求不高的应用领域。

性能特点

MT47H64M16HR-25E:H的架构采用了64M x 16位的存储单元配置，存储容量达到1Gb，使其成为适合高密度存储需求的理想选择。该芯片的时钟频率为400MHz，确保了高速数据传输和快速响应时间，使其在处理大量数据时效率极高。

其中，访问时间为400ps，表示其能够以极快的速度读取数据。写周期时间为15ns，意味着在写入数据时，能够保持较低的延迟，这对于高频率信号处理至关重要。此外，由于其支持并行接口，MT47H64M16HR-25E:H能够与多种控制器和主处理器进行高效的配合，进一步提升整体系统性能。

工作环境

MT47H64M16HR-25E:H的工作电压范围在1.7V到1.9V之间，保证了在合理电源电压下的稳定性和可靠性。而其工作温度範围为0°C至85°C，适用于多种应用场景，从工业设备到消费电子产品，因其良好的温度适应性，可确保在多种环境下长期稳定运行。

安装与封装

该存储器采用表面贴装型（SMD）技术，其封装为84-FBGA（0.8mm间距，84个引脚，尺寸为8x12.5mm）。这一紧凑的封装设计有效地提高了PCB设计的空间利用率，并帮助产品减少体积、增加便携性，使其能够被广泛应用于各种小型设备中。

应用场景

MT47H64M16HR-25E:H广泛应用于多种领域，包括但不限于：

1. 计算机与服务器：在个人计算机、工作站和服务器中，提供快速的内存访问，以支持高负载应用程序和多任务操作。
2. 网络设备：用于路由器、交换机等设备中，以提升数据包处理速度和同时连接数。
3. 消费电子：在智能手机、平板电脑、游戏机等产品中，提升用户体验和响应速度。
4. 工业应用：在数据采集、实时处理系统中，满足对快速数据存储和读取的高需求。

结论

作为Micron生产的高性能DDR2 SDRAM芯片，MT47H64M16HR-25E:H以其出色的存储容量、访问速度和可靠性，成为各类电子设备中不可或缺的组成部分，满足了现代电子产品对性能和稳定性的苛刻要求。无论是在高频数据处理还是大规模数据存储方面，该产品均能提供卓越的解决方案。