FDN340P
FDN340P参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 779pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
FDN340P手册
FDN340P概述
FDN340P 产品概述
FDN340P 是一款高性能的P沟道MOSFET（场效应管），由安森美(NXP Semiconductors)制造，主要用于低功率应用。这款器件具有宽广的工作温度范围、优异的电气特性和可靠的封装设计，适合于各种电子电路中。无论是在电源管理、电机驱动或其它需要开关控制的应用场景中，FDN340P 都展现出了出色的性能表现。
基本参数
FDN340P 的关键参数包括：
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物场效应管）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 条件下，最大连续漏流为 2A
- 导通电阻 (Rds(on))：在 4.5V 驱动电压下，最多可达到 70 毫欧的导通电阻，确保低功耗和热损耗
- 栅极源电压 (Vgs)：最大为 ±8V
- 输入电容 (Ciss)：779pF @ 10V，表明其在高频应用中的良好响应性
- 功率耗散：最高 500mW，这使得它能够在安全工作范围内长期稳定运行
- 工作温度：-55°C 到 150°C，适合适应严酷环境的工业应用
应用场景
FDN340P 的性能使得它在多种场景下应用广泛，尤其在以下领域：
电源管理：能有效控制电源开关，适合用于 DC-DC 转换器和电源分配系统中。
电机驱动：能够作为小型直流电机的驱动开关，适用于玩具、电动工具等。
信号开关：用于低功率信号的开关，可以广泛应用于音视频设备等。
LED 驱动：适合用于 LED 照明中的电流控制，提供稳定的光输出效果。
封装与安装
FDN340P 采用 SuperSOT-3 封装（TO-236-3，SOT-23），是一种面向表面贴装技术(SMT)的封装形式。该封装设计紧凑，不仅减小了电路板的面积，还提高了热管理和电气性能。这种形式简化了自动化焊接和组装过程，因此在现代电子产品中尤为流行。
性能优势
高效能：由于低的导通电阻和高的工作电流能力，FDN340P 可以在更低的功率损耗条件下运行，提升了设备的整体效率。
宽泛的工作温度：这款 MOSFET 的工作温度范围非常广泛，适合各种严酷环境的应用，满足航空、汽车及工业等领域的要求。
优良的开关特性：在高频应用中表现出色，尤其适用于开关电源和PWM调制的应用场合。
结论
FDN340P 是一款性能卓越的P通道MOSFET，其优异的电气特性和宽泛的应用范围使其在现代电子设计中成为可选的理想元件。凭借其高效能、良好的热管理能力和适应性强的封装设计，它能够满足多样化的电子应用需求。无论是设计新产品，还是替换现有方案，FDN340P 都是值得考虑的可靠选择。