制造商 | Semtech Corporation | 系列 | RailClamp® |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
类型 | 齐纳 | 电压 - 反向断态(典型值) | 8V(最大) |
电压 - 击穿(最小值) | 10V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 25V |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 4A(8/20µs) | 功率 - 峰值脉冲 | 100W |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 0.3pF @ 1MHz | 工作温度 | -55°C ~ 125°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0402(1006 公制) |
供应商器件封装 | SLP1006P2 | 双向通道 | 1 |
基本产品编号 | RCLAMP08 |
产品概述:RCLAMP0821P.TCT
RCLAMP0821P.TCT是一款由Semtech Corporation制造的双向ESD抑制二极管,专门设计用于保护敏感电子元器件免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压事件所引起的损害。作为RailClamp®系列的一员,这款TVS(瞬态电压抑制)二极管具有极佳的保护性能,适用于各种通用应用,包括但不限于移动设备、消费电子、通信设备和工业电子产品。
RCLAMP0821P.TCT具有一系列优异的电气特性,使其适用于高要求的ESD保护。该器件的反向断态电压(V_R)为8V(典型值),具有10V的最小击穿电压,有效保护被连接的电路不受过高电压的影响。当电路中突发瞬态电压可能超过该电压范围时,RCLAMP0821P.TCT将迅速进入导通状态,将多余的电压钳位到25V的最大值,从而保护电路组件。
此外,该组件的峰值脉冲电流(Ipp)为4A(在8/20µs脉冲宽度下),拥有高达100W的峰值脉冲功率,这使得其能够在瞬态事件中有效分散能量,避免对电路造成损坏。其在1MHz时的电容为0.3pF,确保在信号传输中的低插入损耗,非常适合高频应用。
RCLAMP0821P.TCT广泛应用于多种电子产品中,尤其是在需要ESD保护的环境下。例如:
RCLAMP0821P.TCT采用0402(1006公制)的封装形式,属于表面贴装型设计,便于集成到现代小型化电路板中。其小巧的尺寸使得元器件在PCB布局和焊接过程中更为灵活,适合密集布线的设计要求。
在工作温度方面,该器件的工作范围广泛,从-55°C到125°C的温度范围确保其在各种环境下均能稳定运行。此外,在设计时需要注意的还有其双向通道特性,使得设计人员可以简单地将其应用于需要双向击穿保护的线路中。
总之,RCLAMP0821P.TCT作为一款高性能的ESD抑制二极管,不仅展现了良好的电气特性和宽广的应用场景,还具备出色的结构设计,适合各种被动保护需求。对于任何在日益复杂的电子设备中希望提升电路保护能力的工程师而言,这款产品将是实现高可靠性设计的重要工具。Semtech Corporation凭借其强大的技术背景和优质的产品,确保RCLAMP0821P.TCT在市场上具备竞争力和广泛应用价值。