STB75NF75LT4

产品概述： STB75NF75LT4 N通道MOSFET

STB75NF75LT4 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计用于高电流与高电压应用。该器件在电子电源管理、电机驱动、开关电源等领域具有广泛的应用。该MOSFET由于其优异的导通特性和热性能，能够在高温和高压力环境下工作，适合需求严格的工业和汽车应用。

主要参数

• 类型与技术：该器件为N通道MOSFET，适合在开关和线性应用中使用。
• 漏源电压（Vdss）：最大可承受漏源电压为75V，使其适用于多个中等电压的应用。
• 连续漏极电流（Id）：在25°C的环境条件下，器件的连续漏极电流高达75A，能够处理较大的负载电流。
• 导通电阻（Rds(on)）：在10V的栅源电压下，当漏电流为37.5A时，导通电阻的最大值仅为11毫欧，这意味着器件在导通状态下具有极低的功耗损失。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为2.5V，使其适合与低电压驱动电路配合使用。
• 栅极电荷（Qg）：在5V的Vgs条件下，栅极电荷最高为90nC，从而在快速开关时能够实现高效的驱动。
• 输入电容（Ciss）：在25V的条件下，总输入电容最大值为4300pF，能降低开关损耗并提升高频性能。
• 功率耗散：该器件可在最大功率耗散为300W的条件下运行，适合严苛的温控环境。
• 工作温度范围：器件的工作温度范围广，从-55°C到175°C，保证其在极端温度下的可靠性能。

封装与安装

STB75NF75LT4采用了D2PAK封装，符合TO-263-3标准，适合表面贴装。D2PAK封装设计不仅提高了散热性能，还便于简化PCB设计和自动化组装。其引线和接片配置也与行业的标准相兼容，适合多种电路板布局。

应用场景

STB75NF75LT4广泛应用于以下场景：

1. 电源管理：在开关电源、DC-DC转换器及APFC电路中，因其高电流承载能力和低导通电阻，能够显著提升能源效率。
2. 电动汽车：在电动汽车的电动机驱动电路中，MOSFET能够承受高电流和电压，并通过精确的控制实现高效的动力输出。
3. 电机控制：在工业电机驱动系统中，该器件能够依靠其高效的开关性能，提供平稳的电机启动和控制。
4. 高频开关应用：STB75NF75LT4能够满足高频开关的性能需求，适合用于RF（射频）和高频电子设备中。

性能优势

1. 高效能：低的Rds(on)确保了在工作中的最低功率损耗，极大地提高了电能的使用效率。
2. 宽温操作：广泛的工作温度范围使其成为恶劣环境应用的理想选择，确保产品的长期稳定性和可靠性。
3. 卓越的散热性能：D2PAK封装不仅简化了安装过程，还帮助提高热管理效率，增强了产品的工作稳定性。

总体来说，STB75NF75LT4是一款结合高性能与高可靠性的N通道MOSFET，广泛适用于电子电源管理、工业自动化和电动汽车领域。在设计高效能电子应用时，STB75NF75LT4值得开发者的信赖与选用。