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STP170N8F7
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 250W 80V 120A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.77按整 :
管(1管有50个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.77
--
1000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP170N8F7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.9 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 120nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8710pF @ 40V |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP170N8F7手册
无数据
STP170N8F7概述
STP170N8F7 产品概述
一、产品背景
STP170N8F7 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高效能 N 通道 MOSFET，具有优良的性能参数和广泛的应用潜力。这款器件是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，采用 TO-220 封装，适用于各种高功率和高电流的电力转换应用。
二、技术规格
- FET 类型： N 通道
- 技术类型： MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压（Vdss）： 80V
- 连续漏极电流（Id @ 25°C）： 120A（在额定晶体管温度 Tc 下）
- 驱动电压： 10V
- 最大 Rds(on)： 3.9 mΩ @ 60A，10V
- 阈值电压（Vgs(th)）： 最大 4.5V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）： 最大 120nC @ 10V
- 最大 Vgs： ±20V
- 输入电容（Ciss）： 最大8710pF @ 40V
- 功率耗散： 最大 250W（在结温 Tc 下）
- 工作温度范围： -55°C 到 175°C（TJ）
- 封装类型： TO-220-3
三、产品特点
STP170N8F7 的设计考虑到优化性能和集成度，使其在高电流和高电压环境下表现稳定。该器件的低导通电阻（Rds(on)）特性使其在传递电流时具有较低的功率损耗，这对于提高整体系统效率至关重要。此外，其最大漏源电压为 80V，使其适应多种电源管理和电机驱动应用场景。
四、优越的温度稳定性
STP170N8F7 的工作温度范围非常广泛，从 -55°C 到 175°C，确保在苛刻的环境条件下也能保持良好的性能。这对于航空航天、工业自动化及汽车电子等需要高可靠性的应用尤其重要。
五、应用领域
由于其较高的电流承载能力和低的导通电阻，STP170N8F7 适用于以下应用场景：
- 开关电源：其优良的导通性能适用于高频开关电源的设计，能够有效提升电源转换的效率。
- 电机驱动：在电动机控制系统中，该 MOSFET 可以作为开关器件进行电流的控制，以提高驱动效率并减少散热损失。
- 功率放大器：在射频及音频功率放大器中，STP170N8F7 可以用来驱动负载，提高信号传输质量。
- 汽车电子：其耐高温和高功率特性，使其成为汽车电力管理系统、LED 驱动电路等应用的理想选择。
六、总结
STP170N8F7 N 通道 MOSFET 在电力电子领域具备优质的性能，尤其适合在高电压和高电流的应用中使用。意法半导体作为全球知名的半导体制造商，提供了可靠的产品质量、优越的技术支持以及持续的创新能力，使得 STP170N8F7 成为设计工程师的优选元件。通过使用这款 MOSFET，将为电源管理方案提供更高的能效表现和更佳的系统可靠性，为各种高要求的电子产品提供坚实的基础。