SI4972DY-T1-E3

产品概述：SI4972DY-T1-E3

一、基本信息

SI4972DY-T1-E3 是由知名半导体制造商 VISHAY（威世）出品的一款高性能 N-通道 MOSFET。这款双 N-通道 MOSFET 主要设计用于高效功率转换和开关应用，广泛适用于消费电子、工业控制、电源管理等多个领域。其强大的电流承载能力和低导通电阻使其在各种高效电源应用中表现出色。

二、主要参数

1. FET 类型：二个 N-通道（双）。
2. FET 功能：该器件为标准类型，适合多种应用需求。
3. 漏源电压 (Vdss)：最大工作电压为 30V，适合中低电压的功率应用。
4. 漏极电流 (Id)：在 25°C 时，该器件的连续漏极电流可达 10.8A，温度升高时额定电流为 7.2A，保证了在不同工作环境中的可靠性。
5. 导通电阻 (Rds(on))：在 10V、6A 的条件下，最大导通电阻为 14.5 毫欧，表现出色的电流导通能力减少功耗，有效提升电路的效率。
6. 栅极阈值电压 (Vgs(th))：在 3V 的条件下，最大栅极阈值电压为 3V，这一特性使其能在较低的栅极驱动电压下正常工作，提升电路的设计灵活性。
7. 栅极电荷 (Qg)：最大栅极电荷为 28nC @ 10V，表现出较低的驱动能量损耗，适合快速开关的应用需求。
8. 输入电容 (Ciss)：在 15V 条件下，最大输入电容为 1080pF，这为高速开关设计提供了良好的性能支持。
9. 最大功率：该器件的功率承载能力为 3.1W（在某些条件下为 2.5W），表明其能有效处理高功率应用。
10. 工作温度范围：-55°C 至 150°C 的广泛工作温度范围，允许在严苛环境下应用。
11. 封装和安装：采用 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) 表面贴装型封装，便于自动化生产和高密度电路设计，提高PCB利用率。

三、应用场景

SI4972DY-T1-E3 的特性使其适合于多个应用场景，包括但不限于：

• 电源管理：在开关电源转换器、DC-DC 转换器和电源模块中，作为高频开关元件，提高电源转换效率。
• 电动工具：在便携式电动工具中用作高效驱动元件，提供更好的功率输出与电池续航能力。
• 消费电子产品：在智能手机、平板电脑等便携设备中用作电池管理和能源切换的核心组件。
• 工业控制：在各种工业控制电路中，作为开关元件或线性调节器，确保设备的稳定运行。

四、总结

SI4972DY-T1-E3 是一款极具竞争力的 N-通道 MOSFET，凭借其理想的电气特性、优异的热性能以及可靠性，使其在现代电子设备中成为不可或缺的元件。VISHAY 的产品质量保证了其在业界的口碑与广泛应用，在选择 MOSFET 时，该型号无疑是一个非常值得考虑的选项。对于设计工程师而言，SI4972DY-T1-E3 不仅是功能强大的开关器件，更是优化电源设计、提高系统效率的得力工具。