制造商 | Torex Semiconductor Ltd | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 不適用於新設計 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 500mA,4.5V |
Vgs(最大值) | ±8V | 功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 220pF @ 10V |
制造商与系列
XP151A13A0MR 是由 Torex Semiconductor Ltd 生产的一款高性能N沟道MOSFET,属于高效能的场效应管系列。Torex在低功耗和高集成度的电子器件领域拥有良好的声誉,其MOSFET产品以高效能和可靠性著称,适用于多种电子应用。
产品规格
XP151A13A0MR具备如下基础参数,适合于多种电子设备的设计:
电气特性与应用
XP151A13A0MR的漏源电压(Vdss)为20V,适合中低电压电源管理和开关应用。同时,其输入电容 (Ciss) 在10V时最大为220pF,表明其在快速开关条件下表现出色,确保了设备能够迅速响应输入信号的变化。
这些特性使得XP151A13A0MR在多个领域的应用中展现出广泛的适用性,包括但不限于:
电源管理: 适合用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源模块,以实现高效能的电源转换和管理功能。
开关电源: 可用于各种开关电源设计中,比如用于LED驱动、电机控制等,提供稳健的功率控制性能。
消费电子: 在便携式设备、小家电等应用中,作为开关元件可有效降低待机功耗,提升能效。
工业控制: 在工业自动化和控制领域中,XP151A13A0MR可用于驱动负载、模块开关等功能。
总结
总的来说,XP151A13A0MR N沟道MOSFET以其小巧的SOT-23封装和优越的电气特性,适合各种电子产品的电源管理和开关控制应用。虽然该产品标记为不适用于新设计,但其稳定的性能和可靠的工作条件仍然使其成为老旧电子设备和特定应用中的理想选择。针对温度和功率处理的高需求场合,XP151A13A0MR能够为设计人员提供可靠的解决方案,同时在各种设备中提升能效和性能。