MT47H128M16RT-25E:C 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MT47H128M16RT-25E:C

商品编码: BM0084328765
品牌 : 
micron(镁光)
封装 : 
48-VFBGA(6x8)
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
56.25
按整 :
托盘(1托盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥56.25
--
100+
¥51.14
--
1000+
¥49.65
--
2000+
¥48.21
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MT47H128M16RT-25E:C参数

制造商Micron Technology Inc.包装托盘
零件状态有源存储器类型易失
存储器格式DRAM技术SDRAM - DDR2
存储容量2Gb(128M x 16)存储器接口并联
写周期时间 - 字,页15ns电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
工作温度0°C ~ 85°C(TC)安装类型表面贴装型
封装/外壳84-TFBGA供应商器件封装84-FBGA(9x12.5)
时钟频率400MHz访问时间400ps
基本产品编号MT47H128M16

MT47H128M16RT-25E:C手册

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MT47H128M16RT-25E:C概述

产品概述:MT47H128M16RT-25E:C

基本信息:

MT47H128M16RT-25E:C 是一款由美光科技(Micron Technology Inc.)生产的高性能动态随机存储器(DRAM)芯片,采用了 DDR2 SDRAM 技术。这款存储器的存储容量为2Gb(128M x 16),非常适合于需要高带宽和快速数据访问的计算应用场合。

技术规格:

  1. 存储器类型与格式

    • 本产品为易失性存储器,存储器格式为 DRAM,采用 SDRAM - DDR2 技术。DDR2 提供了比传统 SDRAM 更高的数据传输速度和带宽,适合用于现代计算机系统和网络设备。
  2. 存储容量与接口

    • 具有 2Gb(128M x 16)的存储容量,能够存储大量数据,相较于老旧的存储器解决方案,能够显著提升系统性能。
    • 存储器接口为并联接口,允许多数据位同时进行传输,进一步提高数据的处理速率。
  3. 时钟频率与访问时间

    • 该存储器的时钟频率为 400MHz,访问时间为 400ps。高频率的时钟允许快速的数据读写操作,减少数据传输延迟,为需要高速计算的应用提供了理想的解决方案。
  4. 电压与工作温度

    • 工作电压范围为 1.7V ~ 1.9V,符合低电压操作的要求,适用于低功耗设备。在现代电子产品中,降低工作电压有助于延长电池寿命并减少热量生成。
    • 适用的工作温度范围为 0°C ~ 85°C(TC),使其能够在多种环境条件下可靠运行,适合室温环境下的各种电子设备。
  5. 封装与安装类型

    • 该芯片采用 84-TFBGA(Thin Fine Ball Grid Array)封装,有效地节约了板上空间且方便表面贴装,适用于高密度的电路板设计。其封装尺寸为 9x12.5mm,使其适配多种应用场合。

应用场合:

MT47H128M16RT-25E:C DRAM 芯片广泛应用于各种电子产品中,包括但不限于:

  • 计算机系统:这一存储器常用于台式机和笔记本电脑中,为操作系统和应用程序提供高速缓存。
  • 网络设备:由于其高性能特性,适合用于路由器、交换机等网络设备中,以提高数据包的处理速度。
  • 嵌入式系统:广泛应用于工业控制、自动化系统、以及消费电子产品,提升整体系统的响应速度和处理能力。
  • 图形处理:在图形密集型应用中,如游戏机和图形工作站中,能够有效支持图形渲染要求,增强视觉效果。

总结:

MT47H128M16RT-25E:C 是美光科技推出的一款具有优秀性能规格的 DDR2 SDRAM 存储器,以其高速读写能力、适度的电压和温度范围,适配了大量当今电子系统的需求。其高密度封装以及并联接口设计,使其在面对需要高带宽的应用时表现出色。选择该产品,意味着可以在技术、性能和经济性之间取得理想的平衡,是现代电子产品设计中不可或缺的关键组件之一。