TPH4R50ANH,L1Q
TPH4R50ANH,L1Q参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5200pF @ 50V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 58nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta），78W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
TPH4R50ANH,L1Q手册
TPH4R50ANH,L1Q概述
TPH4R50ANH,L1Q 产品概述
基本信息
TPH4R50ANH,L1Q是由东芝（Toshiba）推出的一款高性能N通道MOSFET，适用于各种电子应用，包括电源管理、高频开关和功率放大等领域。这款MOSFET采用表面贴装型（SMD），方便在自动化生产过程中进行安装，其低导通电阻和高负载能力使其在高效能和可靠性需求日益增长的现代电子产品中表现突出。
关键参数
安装类型
TPH4R50ANH,L1Q采用表面贴装型封装（SOP-8），其尺寸为5x5mm，适合密集的电路板设计，使得在较小空间中高效利用电气连接能力。导通电阻
在10V的栅极驱动电压下，此MOSFET在连续漏极电流Id为30A时的最大导通电阻（Rds(on)）为4.5毫欧。出色的导通电阻特性意味着其在开关操作时的功率损耗较低，提升了整体电路的能效。电流承载能力
该器件在25°C的情况下，其最大连续漏极电流（Id）可达到60A（Tc），表明其能够处理高电流应用，从而满足高功率设备的需求。电压规格
TPH4R50ANH,L1Q的漏源电压（Vdss）为100V，符合大多数电源管理应用的电压范围。这使得其在汽车电子、消费电子和工业设备等多个领域的可靠性得以保障。工作温度范围
本产品能够在高达150°C的环境温度下可靠工作，具有优异的热稳定性。这对于一些需要长时间连续工作的应用场合尤为关键，例如服务器电源和照明控制系统。栅极驱动及电荷特性
TPH4R50ANH,L1Q在10V的栅极驱动下，其栅极电荷（Qg）最大值为58nC，这个值较低有助于提高开关速度，尤其适合高频率应用。输入电容
其在50V时的输入电容（Ciss）最大值为5200pF，能够支持不同负载的变化，确保更快的响应时间和降低的开关损耗。功率耗散
该MOSFET的最大功率耗散分别为1.6W（环境温度Ta）和78W（结温Tc），这表明其在较高的电流和电压下仍能保持良好的工作性能，有效减少热量产生，防止电路过热。
应用场合
TPH4R50ANH,L1Q的设计使其适用于多种场合，主要包括：
电源管理
在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等高效率电源管理系统中，该MOSFET能够提供优秀的性能，充当开关元件。电机驱动
适用于电动机的控制驱动，尤其是无刷直流电机（BLDC），在控制精度和功率转换效率方面均能展现出色的能力。高频开关和放大器
在RF（射频）应用中，利用其高频开关性能，本产品可用于信号放大和调制解调器（modem）等设备。智能家居和消费电子产品
通过智能控制的家用电器和便携式设备，TPH4R50ANH,L1Q能够有效提升能效和运行稳定性。
结论
TPH4R50ANH,L1Q是一款性能优越的N通道MOSFET，具有低导通电阻、良好的热特性以及强大的电流承载能力。凭借其广泛的应用潜力和可靠的运行表现，TPH4R50ANH,L1Q不仅是高效能电源管理的理想选择，也是各种高要求电气应用中的理想元件。