STP8NK80Z
STP8NK80Z参数
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 46nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1320pF @ 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 3.1A，10V | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | N 通道 |
STP8NK80Z手册
STP8NK80Z概述
STP8NK80Z 产品概述
STP8NK80Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N-channel 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专门设计用于高电压、高功率的开关应用。凭借其卓越的性能参数及可靠的工作范围，STP8NK80Z 成为现代电子设备中重要的电源管理解决方案。
关键特性
高电压能力：STP8NK80Z 的漏源电压（Vdss）高达 800V，使其适合用于高压电源模块、逆变器、开关电源及其他需要处理高电压的应用场景。
卓越的功率处理能力：该MOSFET 的最大功率耗散达到了 140W（在适当的散热条件下），能有效处理高达 6.2A 的连续漏极电流（Id）。这一特性使其在高功率应用中具备极好的适应能力。
低导通电阻：在 10V 驱动电压下，其最大导通电阻（Rds(on)）为 1.5Ω（在 3.1A 电流下），这有助于降低在开关状态时的功耗，提升整体系统效率，减少热量生成。
宽温范围：其工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），这使得 STP8NK80Z 能够在各种极端环境下稳定工作，适合工业应用和汽车电子。
良好的电气特性：该器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为 4.5V，在100µA漏电流条件下，适合于多种驱动电路。此外，在10V下的栅极电荷（Qg）最大为 46nC，表示其具有较低的开关损耗，从而可以提高开关频率，优化系统设计。
优秀的输入电容：在 25V 条件下，其输入电容（Ciss）最大为 1320pF，这使得该MOSFET的输入响应速度快，且在高频应用中表现出良好的性能。
应用领域
STP8NK80Z 的特性使其适用于各种应用，包括：
- 开关电源：广泛用于AC-DC及DC-DC转换器中，以提高转换效率和性能。
- 电机驱动：适用于电机控制电路，能够承受高电压高电流工作条件。
- 逆变器：在太阳能逆变器和UPS电源中发挥重要作用，支持高效能量转换的需求。
- 家电及消费类电子产品：可用于冷却系统、加热器以及其他需要高功率开关的设备中。
封装与安装
STP8NK80Z 采用 TO-220AB 封装，这种封装方式不仅支持良好的热管理，还便于在电路板上进行通孔安装，适合各种自动化制造和手动组装过程。用户可以通过将 MOSFET 直接焊接在 PCB 上实现其功能。
总结
综上所述，STP8NK80Z 是一款具有高电压、高功率和宽温范围的 N-channel MOSFET，其卓越的导电性能及可靠性使其成为推动现代电子设备发展的关键元件之一。无论是在工业、消费电子还是电动汽车等领域，STP8NK80Z 都展现出极高的应用价值，适合多种苛刻的电气环境与要求。