功率(Pd) | 6.2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 363pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5mΩ@10V,32A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 58nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.142nF@15V | 连续漏极电流(Id) | 32A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA |
AON6413是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),具有优异的电气特性和热性能,适用于各种功率电子应用。该器件的额定功率为6.2W,最大工作电压为30V,能够承载最大的漏电流达到32A。其特殊的DFN-8封装尺寸为4.9mm x 5.8mm,适合在空间有限的设计中使用。
高额定电流:AON6413的最大漏电流可达到32A,适合高效能的电源管理和负载开关应用。
低导通电阻:AON6413在开启状态时具有较低的导通电阻,这意味着器件在导通时会产生更少的热量,提升了整体效率,并降低了散热需求。
宽工作电压范围:该器件可以在30V的条件下安全工作,使其能够处理多个电压等级的应用,有助于设计师在多种应用中灵活使用。
DFN-8封装:其DFN-8封装形式使得AON6413适合于紧凑型电路设计,适合于手持设备、便携式电子产品以及其他空间受限的应用场景。
高可靠性:作为AOS品牌的产品,AON6413在制造过程中的高标准和严格的质量控制,确保了器件的长期稳定性和可靠性。
AON6413广泛应用于以下几个领域:
电源管理:在开关电源设计中,AON6413可以作为功率开关,提供高效的电源转换,适合用于各种电源适配器和充电器中。
电池管理系统:由于其高效率和低热量特点,AON6413非常适合在电池管理系统中作为开关元件,管理充电和放电过程。
DC-DC转换器:在功率转换过程中,AON6413能够提供稳定的输出,适合用作降压(Buck)或升压(Boost)转换器中的开关元件。
功率放大器:在音频和射频应用中,AON6413的高电流承载能力使其可以用作功率放大器中的重要组件。
消费电子产品:包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备,AON6413能够在有限空间内提供稳定可靠的性能,适合各种移动设备的电源管理。
AON6413是一种理想的P沟道MOSFET,凭借其高效能和小型封装特点,适用于多种现代电子设备的设计需求。无论是在电源管理、充电系统,还是在消费电子产品中,AON6413都能够提供强大的支持。通过有效的设计与应用,可以充分发挥其性能优势,满足当前市场对高效、可靠和紧凑电子元件的需求。