FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 155 毫欧 @ 2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.3nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 512pF @ 30V |
功率耗散(最大值) | 920mW | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
产品简介 DMPH6250SQ-7 是一款高性能的P沟道MOSFET,专为高效率开关电源和功率管理应用设计。该器件具有出色的电气特性,适用于各种电子设备,能够有效地满足现代电子产品日益增长的性能需求。基于Diodes(美台)公司的出色制造工艺,DMPH6250SQ-7 在高温和高压环境下仍能保持其稳定性和可靠性。
主要参数与特性
应用领域 DMPH6250SQ-7的广泛应用使其成为各种电子产品的关键元件,尤其是在以下几种场景中表现突出:
总结 DMPH6250SQ-7将高效率、低损耗和小尺寸集于一身,特别适合现代电子应用的需求。其高温、高电压的特性及稳定的电气性能,使其在工业、汽车、消费电子等各种应用中都可以提供优异性能。选择DMPH6250SQ-7将为您的设计提升整体性能与可靠性,确保在多种应用环境下的稳定运行。