PESD5Z7.0,115
PESD5Z7.0,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 类型 | 齐纳 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 7V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 7.5V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 19V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 10A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 180W | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 以太网 | 不同频率时电容 | 69pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 | 供应商器件封装 | SOD-523 |
| 单向通道 | 1 | 基本产品编号 | PESD5Z |
PESD5Z7.0,115手册
PESD5Z7.0,115概述
PESD5Z7.0,115 产品概述
PESD5Z7.0,115是一款由Nexperia USA Inc.制造的高性能静电放电（ESD）保护器件，广泛应用于以太网等敏感电子设备中，以确保设备在经历瞬态过压或静电放电时不会损坏。该器件采用表面贴装型（SMD）封装，具有极小的体积，适合于现代紧凑型电子设计。
主要特性
静电放电保护: PESD5Z7.0,115被特别设计用于为高速信号线路提供有效的ESD保护，具有优秀的瞬态电压抑制性能。它在ESD测试（如IEC 61000-4-2）中表现出色，能有效吸收高达±15kV的静电放电，减少对敏感组件的潜在损害。
电压特性: 本器件的反向断态电压（VR）典型值为7V，而击穿电压（VBR）最小值为7.5V，确保在正常工作状态下对信号的保护且不影响信号完整性。最大钳位电压（VC）为19V，确保在极端情况下仍能提供稳妥的保护。
高电流处理能力: PESD5Z7.0,115能够承受最大10A的峰值脉冲电流（10/1000μs），以及高达180W的峰值脉冲功率，提高了对突发事件的抵抗能力，这使得该器件非常适合用于需要高可靠性的应用场景。
小型封装: 使用SC-79/SOD-523小型封装，PESD5Z7.0,115不仅有效节省电路板空间，还能在多种不同的设计中轻松集成，使其成为各类便携设备和紧凑型电子产品的理想选择。
频率特性: 器件在1MHz时的电容为69pF，体现了其在高速应用中的良好表现，能够有效地维持信号传输的质量，同时提供必要的保护。
广泛的工作温度范围: PESD5Z7.0,115可在-65°C至150°C的工作温度范围内稳定运行，这使其适用于各种苛刻的工业环境和应用。
应用场景
PESD5Z7.0,115主要应用于以太网设备、移动设备、计算机、通信设备等多种电子产品中。随着设备对数据传输速度和稳定性的要求不断提高，该器件能够为如下应用提供有效的ESD保护：
- 以太网接口: 在以太网设备（如路由器、交换机和网络卡）中保护信号接口免受静电及其他瞬态电压的影响。
- 消费电子: 适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备，为其内部电路提供必要的安全防护。
- 工业自动化: 在工业测量和控制设备中，提供防护以延长设备的牢靠性和运行寿命。
结论
总体而言，PESD5Z7.0,115是一款优质的ESD保护器件，具有多种突出的技术特点和广泛的适用性。其高性能、小尺寸和可靠的保护特性使其成为现代电子应用中必不可少的选择。通过提高设备的耐久性和安全性，PESD5Z7.0,115有助于提升整体产品的可靠性和市场竞争力。无论是在设计还是实际应用中，它都是工程师们值得信赖的静电放电保护解决方案。