晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V |
功率 - 最大值 | 2W | 频率 - 跃迁 | 125MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
BCP5616TC 是一款高性能的 NPN 型双极型晶体管(BJT),由知名电子元器件供应商 DIODES(美台)制造。该产品设计用于各类电子电路,其优异的电气特性和广泛的应用范围使其成为专业工程师和电子爱好者的理想选择。
晶体管类型: BCP5616TC 为 NPN 型晶体管,适用于多种开关和放大应用。NPN 晶体管以电流的形式从集电极到发射极流动,常用于低级信号的放大和高效的开关电路。
最大电流和电压:
饱和压降: 在 50mA 和 500mA 的不同 Ic 值下,Vce 的饱和压降最大为 500mV。这一特性对于低功耗应用至关重要,能够提高能效并降低能量损耗。
截止电流: 该晶体管的集电极截止电流 (ICBO) 仅为 100nA,表明其在关闭状态时的漏电流非常小,适合于长时间工作的电路设计。
电流增益: 在 150mA 的 Ic 和 2V 的 Vce 下,Dc 电流增益 (hFE) 最小为 100,提供了良好的信号放大能力,确保在放大电路中能够获得稳定的增益。
功率和频率性能:
工作温度: BCP5616TC 支持宽范围的工作温度,-55°C 至 150°C 的温度范围保证了其在极端环境下的可靠性与稳定性。
封装与安装: 此款器件采用 SOT-223 封装类型,属于表面贴装型设计,便于在紧凑型电路板上实现高密度布局,优化空间利用率。
BCP5616TC 的广泛应用场景包括:
BCP5616TC 是一款功能强大、性能优越的 NPN 型晶体管,其在多个领域的应用潜力使其成为现代电子设计不可或缺的元件。无论是高效的功率控制还是高频信号处理,BCP5616TC 都能为设计者提供可靠的解决方案。通过选择 BCP5616TC,电子工程师可以进一步提升他们的产品性能,增强竞争优势。