晶体管类型 | NPN - 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 160V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.2V @ 10mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 10000 @ 500mA,10V |
功率 - 最大值 | 1W | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | E-Line-3 | 供应商器件封装 | E-Line(TO-92 兼容) |
ZTX601B 是一款高性能的 NPN 达林顿晶体管,由知名电子元器件制造商 DIODES (美台) 生产。这款晶体管设计用于特定的高电流和高电压应用,兼具优秀的增益特性和可靠的操作温度范围,广泛应用于功率放大、电流驱动和开关控制等领域。
ZTX601B 的主要参数如下:
ZTX601B 的设计突出了其卓越的直流电流增益 (hFE),在高达 10000 的增益水平,使其在需要高输入阻抗和低驱动电流的应用中尤为突出。其最大集电极电流为 1A,使得在中等功率应用中表现优异,如为小型电机、继电器或其他负载提供驱动能力。
此外,其 160V 的击穿电压保证了 ZTX601B 在高电压环境中的可靠性,适合用于电源管理、电机控制和电压分配等场合。其低饱和压降特性(最大 1.2V)确保了设备在运行时的能效,同时减少了功耗和热量生成,提升系统的可靠性。
ZTX601B 的高频跃迁特性(250MHz)对于需要高频信号处理的应用尤为关键,这使得该器件适合于无线通信、信号放大器和射频应用。它的广泛工作温度范围 (-55°C 至 200°C) 确保了在极端环境下的稳定性能,适用于汽车、航天及工业控制等领域。
ZTX601B 采用 E-Line-3 封装,兼容 TO-92 封装标准,便于在各种电路板设计中的集成。通孔安装形式使得其在 PCB 制造中操作简单,可以应用于大规模生产。
综上所述,ZTX601B 是一款功能强大的达林顿 NPN 晶体管,提供出色的电流增益、高电压和高电流承受能力,适合多种应用场合。其高频特性和极宽的工作温度范围使其成为多种先进电子系统中的理想选择。对于设计师而言,选用 ZTX601B 可以有效提高系统的性能与可靠性,是为现代电子设备提供动力和控制的优秀元器件。