DMN2005UFG-7
DMN2005UFG-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 164nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6495pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.05W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMN2005UFG-7手册
DMN2005UFG-7概述
DMN2005UFG-7 产品概述
DMN2005UFG-7 是一款高效的 N 通道 MOSFET，专为各种电源管理和开关应用而设计，适合在高频率和高功率环境中使用。作为 DIODES（美台）品牌的优质产品，其性能和可靠性使其非常适合现代电子设备的需求。
主要规格
FET 类型: N 通道 MOSFET
DMN2005UFG-7 是一种 N 通道晶体管，具有较低的导通电阻，能够显著提高电流通过效率，适合高效能的电源转换需求。漏源电压 (Vdss): 20V
该 MOSFET 的最大漏源电压为 20V，能够满足大多数低压电源应用的需求。连续漏极电流 (Id): 18.1A
在 25°C 时，DMN2005UFG-7 可承受最高 18.1A 的连续漏极电流，展现出其在高负载情况下的优良表现，能够适应多种负载条件。驱动电压: 2.5V ~ 4.5V
其高效的导通状态由 2.5V 的最低驱动电压提供，从而允许在低电压环境中有效工作，此外，4.5V 的最大 Rds On 状态能够确保其稳定性和电气性能。导通电阻 (Rds On): 4.6 mΩ @ 13.5A, 4.5V
在流过 13.5A 的情况下，导通电阻仅为 4.6 毫欧，这使得 DMN2005UFG-7 能够在各种应用中减少功耗及热损失，提高整体效率。栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 1.2V @ 250µA
该产品具有较低的栅极阈值电压，确保其快速开启，从而提高了整体响应速度，符合高频开关应用的要求。输入电容 (Ciss): 最大值 6495pF @ 10V
结合适中的输入电容，DMN2005UFG-7 能在高频率应用中保持良好的开关效率。功率耗散: 最大值 1.05W
其最大功率耗散能力为 1.05W，确保了在高负载条件下的可靠性和长时间的持续工作能力。
工作温度范围
DMN2005UFG-7 的工作温度范围广泛，涵盖 -55°C 到 150°C，这使其适用于极端环境条件，保证了元器件在多种恶劣条件下的稳定性和可靠性，特别是在汽车、电信和工业应用中将发挥重要作用。
安装和封装
该 MOSFET 采用表面贴装型 PowerDI3333-8 封装，适合自动化焊接工艺，节省空间并提高板级密度。此外，PowerDI 封装的散热性能良好，有助于降低工作温度，提高器件的寿命。
应用场合
DMN2005UFG-7 适合广泛的应用场景，包括：
- 开关电源
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- LED 驱动电路
- 汽车电子
其高效能与可靠性使其在这些市场中具备竞争力，能够满足客户对不断提升效率及节能要求的需求。
总结
DMN2005UFG-7 以其出色的电气性能，广泛的工作温度范围和高效的封装设计，成为现代电子设计中一种可靠的选择。无论是用于高频开关电源、功率管理还是复杂的电动机控制系统，该 MOSFET 都展示了其卓越的性能特性和应用灵活性，满足当前市场上对高性能电子元器件的迫切需求。