ZVP3310A
ZVP3310A参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 140mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 欧姆 @ 150mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 | 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
ZVP3310A手册
ZVP3310A概述
ZVP3310A 产品概述
ZVP3310A 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为中低功率应用而设计，提供了出色的电流控制和高效能，其核心参数能够满足多种电子电路的需求。该器件特别适合在开关电源、音频放大器和各种功率转换装置中的应用，同时其高工作温度范围使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。
1. 基本参数和特点
FET 类型: ZVP3310A 属于 P 通道 MOSFET，因此在电路设计中能够提供高效的反向导通特性。这种类型的场效应管通常在低侧开关应用中表现出色，使其成为许多应用场景的理想选择。
漏源电压（Vdss）: 该器件的漏源电压为100V，能够在多个高电压场景中稳定工作，尤其适合用于高电压电源管理和控制环节。
连续漏极电流（Id）: ZVP3310A 在25°C 时可以承载140mA 的持续漏极电流，这一特性确保了它在各种负载条件下的稳定性。
导通电阻（Rds On）: 在10V 的驱动电压下，最大导通电阻为20欧姆（@150mA），这使得ZVP3310A在快速开关时具备较低的功耗，减少了热量的产生，提升了整体的系统效率。
阈值电压（Vgs(th)）: 该MOSFET 的阈值电压最大值为3.5V（@1mA），使得ZVP3310A能够在较低的门极电压下启用，便于与其他逻辑电平电路兼容。
最大Vgs: 该器件支持高达±20V 的门极源极电压，允许设计者根据具体应用需求进行灵活调整。
输入电容（Ciss）: 输入电容最大值为50pF（@25V），这使得ZVP3310A在高频应用中表现良好，能够快速响应信号变化，提高切换速度。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为625mW（Ta），确保了其在高负载情况下仍然能够正常工作而不会过热，适用于中低功率应用的要求。
2. 工作温度与封装
ZVP3310A 的工作温度范围广泛，从-55°C 到 150°C，使得它在极端环境下依然保持可靠的性能。这一特性使得ZVP3310A不仅适合工业应用，还可以在汽车、航空等要求严格的领域中使用。
该器件采用通孔式安装，封装为TO-92-3，提供了良好的散热能力和强固的机械性能，便于在各种电路布局中进行高效安装和维护。
3. 应用场景
ZVP3310A 可以广泛应用于：
- 开关电源：在电源转换中担任开关作用，实现高效的电力管理。
- 音频设备：作为音频放大器的开关，提供优质的信号传输和控制。
- 低侧开关应用：在各种低侧开关电路中，确保高效的负载控制和管理。
- 工业控制系统：在电机控制和其他自动化设备中提供稳定的开关功能。
4. 供应商信息
该器件由 DIODES(美台) 供应，并且符合数据手册中列出的一切标准，以确保最佳的性能和可靠性。其封装类型 EP3SC 提供了符合行业标准的良好兼容性，使工程师能够轻松集成到现有项目中。
总结
综上所述，ZVP3310A 是一款性能卓越且应用广泛的 P 通道 MOSFET，凭借其高耐压、低导通电阻、高功率处理能力及宽工作温度范围而成为中低功率电源及控制电路的优选器件。无论是在工业、汽车还是消费电子品领域，ZVP3310A 都能够提供稳定可靠的解决方案。