FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 450V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 600mA(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 21 欧姆 @ 300mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.2nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1003pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 12.5W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
DMP45H21DHE-13 是一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由著名厂商 DIODES(美台)设计和制造。该器件专为高电压和高电流应用而打造,具备优异的导通特性和出色的热性能,适合在多种电子设备中使用。其主要特点包括漏源电压可达 450V,连续漏极电流达到 600mA,以及宽广的工作温度范围,满足用户多样化的应用需求。
DMP45H21DHE-13 的广泛应用覆盖了多个行业,主要包括:
选择 DMP45H21DHE-13 的优势包括:
DMP45H21DHE-13 是一款高可靠性、高性能的 P 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气和热性能,为用户在多个行业和领域提供了强有力的支持。无论是在电源管理、汽车电子还是工业设备中,这款 MOSFET 都能够满足严苛的应用需求,为设计师和工程师带来安全与效率的双重保障。选择 DMP45H21DHE-13,定能助力您的产品实现卓越性能和行业领先地位。