DMP45H21DHE-13 产品实物图片
DMP45H21DHE-13 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP45H21DHE-13

商品编码: BM0084328547
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 12.5W 450V 600mA 1个P沟道 SOT-223-3
库存 :
987(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.88
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.88
--
100+
¥1.45
--
1250+
¥1.25
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP45H21DHE-13参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)450V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)600mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)21 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)4.2nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1003pF @ 25V
功率耗散(最大值)12.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-223
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA

DMP45H21DHE-13手册

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DMP45H21DHE-13概述

产品概述:DMP45H21DHE-13 MOSFET

概述

DMP45H21DHE-13 是一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由著名厂商 DIODES(美台)设计和制造。该器件专为高电压和高电流应用而打造,具备优异的导通特性和出色的热性能,适合在多种电子设备中使用。其主要特点包括漏源电压可达 450V,连续漏极电流达到 600mA,以及宽广的工作温度范围,满足用户多样化的应用需求。

核心参数

  • FET 类型:P 通道 MOSFET
  • 漏源电压 (Vdss):450V,允许在高电压环境中稳定工作
  • 连续漏极电流 (Id):600mA (25°C 时,Tc)
  • 驱动电压:最大 Rds On 和最小 Rds On 为 10V,提供了足够的控制灵活性
  • 导通电阻(Rds On):在 300mA 和 10V 的条件下,导通电阻最大值为 21欧姆,这一特性有助于降低功耗和提高效率
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值为 5V(250µA),确保在较低电压下也能够有效导通
  • 栅极电荷 (Qg):最大值为 4.2nC(10V),实现快速开关
  • 输入电容 (Ciss):在 25V 时,最大值为 1003pF,适合于需要快速响应的电路
  • 功率耗散:最大可达到 12.5W(Tc),为满足高功率要求的应用提供了极大的灵活性
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C,适应各种严酷环境
  • 封装:SOT-223,表面贴装类型,便于自动化生产和小型化设计

应用场景

DMP45H21DHE-13 的广泛应用覆盖了多个行业,主要包括:

  • 电源管理:作为开关元件,广泛应用于电源转换器和稳压电源中,为电源系统提供高效的开关功能。
  • 汽车电子:适用于需要高电压和高功率处理的汽车电子设备,如电动机驱动、灯光控制及电池管理系统。
  • 工业设备:在各种工业应用中,DMP45H21DHE-13 可以有效控制负载,提升系统的整体效率和稳定性。
  • 消费电子:可用于各种家电、计算机及移动设备的内部电源管理电路,以确保长效的性能和高效的能量消耗。

优势

选择 DMP45H21DHE-13 的优势包括:

  • 高可靠性:该器件经过严格的测试,确保其在高温和高电压的环境中稳定工作。
  • 优异的热性能:较大的功率耗散能力和优秀的导通电阻使其在高负荷下依然保持低温操作。
  • 良好的开关特性:快速的栅极电荷和较低的延迟时间,使其极佳适合高速开关应用。
  • 表面贴装封装:SOT-223 封装具有小型化和轻量化的优势,适合现代电子设备的发展趋势。

结论

DMP45H21DHE-13 是一款高可靠性、高性能的 P 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气和热性能,为用户在多个行业和领域提供了强有力的支持。无论是在电源管理、汽车电子还是工业设备中,这款 MOSFET 都能够满足严苛的应用需求,为设计师和工程师带来安全与效率的双重保障。选择 DMP45H21DHE-13,定能助力您的产品实现卓越性能和行业领先地位。