ZTX757
ZTX757参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 10mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 100mA，5V | 频率 - 跃迁 | 30MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | E-Line-3 | 供应商器件封装 | E-Line（TO-92 兼容） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 300V |
| 功率 - 最大值 | 1W | 基本产品编号 | ZTX757 |
ZTX757手册
ZTX757概述
ZTX757 产品概述
ZTX757 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能单晶体管，属于双极性PNP类型，设计用于广泛的电子应用。其关键特性使其非常适合于信号放大和开关应用。此产品具备多项优越的电气参数和良好的可靠性，适合在严苛环境下使用。
基础参数
ZTX757 的主要电气特性包括：
- 制造商：Diodes Incorporated
- 封装类型：E-Line-3（通孔安装，兼容TO-92封装）
- 零件状态：有源器件，便于在实际应用中高效使用
- 晶体管类型：PNP，适用于需要此种配置的电子电路
关键电气特性
电流-集电极截止（ICBO）： ZTX757 的集电极截止电流在最大值为 100nA，确保在关断状态下极低的漏电流，极大地提高了电路的能效和稳定性。
饱和压降： 在不同的基础电流（Ib）和集电极电流（Ic）条件下，ZTX757 的饱和电压降为最大 500mV（在 10mA 和 100mA 时）。这一参数对于确保快速开关和高效放大至关重要。
集电极电流（Ic）最大值： 此器件最大集电极电流为 500mA，使其适于多种负载条件下的应用。
电压–集射极击穿（Vce）最大值： ZTX757 拥有 300V 的击穿电压，适合需要高电压工作的电路设计，能够为系统安全提供额外的保护。
功率限制： 此单晶体管的最大功耗为 1W，适合在多个应用中提供可靠的性能。
DC 当前增益（hFE）： 此器件在 100mA 和 5V 条件下，最小直流电流增益为 50，确保在信号放大应用中有足够的增益。
频率响应
ZTX757 的跃迁频率为 30MHz，适合于高频应用。这使得其可以处理高速信号，适合在现代通信和数据网络设备中广泛应用。
工作温度范围
ZTX757 具有宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 200°C。这一特性确保了其在极端环境中仍能保持可靠的性能，是军用、航空航天及其他高要求应用的理想选择。
应用场景
ZTX757 适合于多种电子应用，包括：
- 放大器电路：由于其较高的增益和优越的频率响应，ZTX757 可用于不同类型的音频和视频信号放大器。
- 开关电路：其较低的饱和压降和高集电极电流能力，使其在开关电路中表现出色，能够驱动更大的负载。
- 电源管理：在电源开关应用中，ZTX757 可以高效地控制电源的启停。
- 仪器仪表：在对精度和稳定性要求较高的仪器中，该器件可用于信号处理和转换工作。
总结
ZTX757 是一款高性能的PNP双极晶体管，具有优良的电气性能和宽广的工作温度范围，能够满足多种应用需求。其稳健的设计和优质的性能，使其成为各类电子电路中的可靠选择。不论是在通信、音频放大、开关控制还是其他领域，ZTX757 都能提供出色的表现，是电子工程师和设计师们在选择元器件时的理想选择。