IPN70R1K4P7SATMA1
IPN70R1K4P7SATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 700V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 欧姆@ 700mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 40µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 158pF @ 400V |
| 功率耗散（最大值） | 6.2W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT223 |
| 封装/外壳 | TO-261-3 |
IPN70R1K4P7SATMA1手册
IPN70R1K4P7SATMA1概述
IPN70R1K4P7SATMA1 产品概述
一、基本信息
IPN70R1K4P7SATMA1是一款由Infineon（英飞凌）公司生产的N通道MOSFET，该元器件的设计旨在满足高效能和高可靠性的需求。该MOSFET采用先进的技术和优质的材料，以提供优越的电气性能，并适应各种应用场景。
二、技术参数
漏源电压 (Vdss): 该MOSFET的最大漏源电压为700V，使其适用于高压应用。此参数保证了器件在高电压环境下的稳定性和可靠性。
连续漏极电流 (Id): 在25°C的环境温度下，该器件可承受连续漏极电流4A（又称Tc），即在指定温度下保持良好的散热性能，并适用于要求较高电流的应用。
导通电阻 (Rds On): 在10V的栅极驱动电压下，导通电阻的最大值为1.4欧姆（在0.7A的漏极电流下测得）。较低的导通电阻使得该MOSFET具有出色的能效表现，减少了在额定工作状态下的功耗。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在40µA的漏极电流下，最大阈值电压为3.5V。这一特性确保MOSFET在预期电压下能可靠开启，从而提升了电路的工作效率。
栅极电荷 (Qg): 栅极电荷的最大值为4.7nC（在10V时测得），用于判断开关速度和效率。较低的栅极电荷意味着更高的开关频率，适合工作在更高频率下的应用。
输入电容 (Ciss): 在400V电压下，输入电容的最大值为158pF，这表明其在高频应用中会有较低的增益和失真。
功率耗散 (最大值): 器件的最大功率耗散为6.2W（Tc），相对而言具备较高的功率处理能力，能高效地管理热量排放。
工作温度范围: 器件可在-40°C到150°C的宽温度范围内工作，适合严苛的工业环境和各种应用。
封装及安装: 产品采用SOT-223封装，适合表面贴装（SMD）技术。这种紧凑的封装有利于提高PCB布局的灵活性，适用于空间受限的电路设计。
三、应用场景
IPN70R1K4P7SATMA1小型化和高效性的特性使其在多个应用中表现出色：
- 电源管理: 可用于开关电源变换器、电池充电器及其他电源电路，提供高压和高效能的电流开关。
- 电动工具和电机驱动: 在超级电流和高电压环境下，能够有效驱动电机，提升电动工具的性能和能效。
- 汽车电子: 由于其宽温度工作范围，该MOSFET可以在各种汽车电子控制模块中使用，例如电动助力转向系统或变速箱控制单元。
- 工业控制: 适用于自动化设备和工业控制系统，提供高效的开关和控制功能。
四、总结
IPN70R1K4P7SATMA1是一款高性能的N通道MOSFET，具有优异的电压承受能力和出色的导通性能。通过合理的封装设计和良好的热管理能力，它满足了各类应用领域的需求。其在电力转换器、汽车电子和工业控制系统等场合的广泛适用性，为客户提供了可靠的解决方案。英飞凌凭借其卓越的技术和品质保证，进一步提高了该产品在市场上的竞争力，是工程师们在高压应用中不容忽视的选择。