晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 300V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 800mV @ 5mA,30mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 25mA,20V |
功率 - 最大值 | 250mW | 频率 - 跃迁 | 60MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
BF821,215 是一款由 Nexperia(安世)公司生产的 PNP 型晶体管,适用于多种电子电路的应用。它具有高达 50mA 的集电极电流和 300V 的集射极击穿电压,适合用作开关和放大器。它的封装形式为 TO-236AB,也被称为 SOT-23,适合表面贴装,可广泛应用于紧凑型电子产品设计。
晶体管类型:BF821,215 是一款 PNP 型三极管,适合与 NPN 型三极管相结合使用,以实现不同的电路功能。
集电极电流:该晶体管的最大集电极电流为 50mA,这表示它适合处理中等功率的负载。
集射极击穿电压:其集射极击穿电压高达 300V,使得此器件能够在高电压的应用场合下工作,如功率放大和高压开关电路。
饱和压降:在 5mA 和 30mA 的工作条件下,BF821,215 的 Vce 饱和压降最大值为 800mV,较低的饱和压降使其在开关应用中具有更高的效率。
集电极截止电流:其集合极截止电流 ICBO 最大值为 10nA,意味着在关闭状态下,漏电流极小,适合长时间工作时的低功耗需求。
DC 电流增益 (hFE):在 25mA 和 20V 的条件下,BF821,215 的最小直流电流增益为 50,这个特性在信号放大和电流驱动的应用中是非常重要的。
功率处理能力:该器件的最大功率为 250mW,适合低功耗电路设计。
频率特性:BF821,215 的跃迁频率为 60MHz,良好的频率特性使其在高频应用中表现出色。
工作温度:BF821,215 的工作温度上限为 150°C,适合在严苛环境下使用。
BF821,215 可广泛应用于以下几个领域:
开关电路:在低功耗的开关电路中,BF821,215 可有效控制负载,实现快速开关和高效率能量转换。
音频放大器:由于其良好的直流电流增益,BF821,215 可以作为音频信号放大器,特别适合低信号处理。
信号处理:其优异的频率特性允许它在高频信号处理电路中使用,如无线电通信、射频应用等。
驱动电路:BF821,215 可用于小功率设备和负载的驱动电路,轻松控制传感器、继电器和其它小型负载。
BF821,215 的 TO-236AB 封装设计使其适合表面贴装,实现紧凑的设计和现代电子设备的要求。其小巧的外形使得它可以在 PCB 上节省空间,也便于自动化生产线的使用。适合各种消费电子产品、通信设备和自动化设备的设计。
BF821,215 是一款性能优良的 PNP 型晶体管,凭借其高电压承受能力、适中的电流范围、低饱和压降及广泛的工作温度,是设计工程师在多种电路设计中的理想选择。它能够有效地满足现代电子设备对于小型化、高效能和高可靠性组件的需求,必将在未来的技术创新中发挥重要的作用。