BSS138BKW,115
BSS138BKW,115参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 320mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 320mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .7nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 56pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 260mW（Ta），830mW（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
BSS138BKW,115手册
BSS138BKW,115概述
BSS138BKW,115 产品概述
一、基本信息
BSS138BKW,115是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道MOSFET（场效应管），其设计及应用的考虑主要针对高频开关、低功耗应用，以及对空间和功率敏感的电路。这款MOSFET采用SOT-323封装，具备优异的电气性能和高度可靠性，适合于各种电子产品的温度和电压要求。
二、产品参数
FET类型：该器件为N沟道MOSFET，这意味着它在正偏操作时能够有效导通，适合用于高电压及低电流应用。
漏源电压（Vdss）：最大漏源电压为60V，适合在需要处理相对较高电压的环境中使用。
连续漏极电流（Id）：其在25°C时最大连续漏极电流为320mA（环境温度Ta），适合低功耗线路的设计需求。
导通电阻（Rds On）：在10V栅极电压下，最大导通电阻为1.6Ω，在320mA电流下表现出良好的导电性，这意味着在导通状态下，功率损耗较低。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：该产品的最大阈值电压为1.6V（在250µA电流下），说明FET在较低的驱动电压下即可开始导通，有助于实现更高效率的开关控制。
输入电容（Ciss）：在10V时，输入电容最大可达56pF，这一低值特别适用于高频开关应用，帮助提高交换速度。
栅极电荷（Qg）：该MOSFET的栅极电荷为0.7nC（在4.5V时测得），这意味着它在开启和关闭过程中消耗的能量较少，有助于减少电源负担，适合高效能电源管理和低功耗电路设计。
功率耗散（最大值）：该器件的最大功率耗散为260mW（环境温度）和830mW（腔体温度），显示出在不同的热环境中的适应能力，适合多种热管理要求。
工作温度范围：器件工作温度范围为-55°C至150°C，广泛适用于各类严苛环境，特别是工业和汽车电子产品。
封装形式：采用SOT-323封装，具备小型化和表面贴装特性，适合空间受限的设计。
三、应用领域
BSS138BKW,115的广泛应用领域包括但不限于：
- 开关电源：能够在高频开关可控实现电压稳压，提升能效。
- 电机驱动：作为控制开关，适合用于小型电机驱动电路，提供良好的功率控制。
- 信号放大：在模拟信号处理中，可以用于开关放大应用，有效提升信号完整性。
- 汽车电子：在车载电子设备中，由于其高温和高电压的适应性，可广泛用于车灯控制、发动机控制单元等领域。
- 消费电子产品：适合各种消费电子如手机、平板电脑等的电源管理和开关控制。
四、总结
BSS138BKW,115作为一款高性能、可靠性强的N沟道MOSFET，凭借其优异的电气参数、广泛的工作温度范围和多样化的应用领域，将为电子设计工程师提供诸多便利。无论是在高频开关电源、电机驱动控制，还是在其他各种需要高效电源管理的场合，这款器件的出色性能必将助力设计的成功。对于追求可靠性、功率效率以及空间节约的电子产品，BSS138BKW,115无疑是一个理想的选择。