FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 34A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2293pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 114W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
产品概述:BUK7240-100A,118 MOSFET
BUK7240-100A,118是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它专为需要高效率和高功率应用设计。该器件的关键参数包括最大漏源电压(Vdss)为100V,连续漏极电流(Id)为34A,最大功率耗散为114W,广泛适用于各种电子设备的开关电源、马达驱动、以及自动化设备等领域。
电气性能:
温度特性:
电压驱动:
封装与散热:
BUK7240-100A,118由于其卓越的性能,适用于多种应用场景,包括但不限于:
BUK7240-100A,118以其优异的电性能和宽广的工作温度范围,成为高功率开关和电源管理应用的理想选择。其40毫欧的低导通电阻和114W的功率耗散能力,不仅降低了能量损失,还提供了可靠的高负载能力。此外,DPAK封装形式使其在散热性能与安装便捷性之间取得了良好平衡。这款由Nexperia(安世)供应的MOSFET适用于各类现代电子设备,为设计师打造高效、可靠的电子系统提供了优秀的解决方案。