注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN2022UFDF-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
U-DFN2020-6
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 660mW 20V 7.9A 1个N沟道 UDFN2020-6
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.03按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.03
--
200+
￥0.793
--
1500+
￥0.69
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2022UFDF-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 8V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 907pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 660mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（F 类） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMN2022UFDF-7手册
无数据
DMN2022UFDF-7概述
产品概述: DMN2022UFDF-7 MOSFET
概述
DMN2022UFDF-7 是由 DIODES（美台）公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该产品专为需要高效电源管理和低导通损耗的应用而设计，适用于各种行业，如消费电子、工业控制及汽车电子等。其紧凑的U-DFN2020-6封装设计使其非常适合于空间有限的高密度PCB布局。
主要规格和功能
- FET类型: N通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 20V，适合低压电源应用
- 连续漏极电流（Id）: 7.9A（在25°C时），提供出色的负载能力
- 驱动电压: 最小导通电压为1.5V，最大导通电压为4.5V，适应不同的驱动电路需求
- 导通电阻（Rds(on)）: 在4A和4.5V条件下，最大值为22毫欧，实现了低导通损耗
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为1V（在250µA时），确保了在低栅电压下的早期导通
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为18nC（在8V条件下），适合快速开关应用
- 输入电容（Ciss）: 在10V下最大值907pF，提升了开关速度
- 功率耗散: 最大功率耗散为660mW，确保在高负载情况下的稳定性
温度和可靠性
DMN2022UFDF-7支持宽广的工作温度范围：-55°C至150°C（TJ）。这种高温耐受能力确保了其在恶劣环境和严苛条件下的可靠性，大大提高了产品的耐用性和应用范围。
封装和安装
该器件采用6-UDFN裸露焊盘的封装形式，具有极小的占板面积（仅为2020规格）。这种紧凑的设计可以有效降低PCB的尺寸，同时也提供了出色的热性能和电气性能。表面贴装型（SMD）设计使得它易于集成到自动化生产流水线中，加快了生产效率。
应用场景
DMN2022UFDF-7 MOSFET广泛应用于：
- 电源管理: 包括DC-DC变换器、逆变器和电池管理系统。
- 汽车电子: 用于电池系统、智能动力管理、车载电源等。
- 工业控制: 应用于电机驱动、开关电源和自动化设备中，提供可靠的切换控制。
- 消费电子: 在智能家居、便携设备和移动设备中广泛使用，以增强能效。
结论
综上所述，DMN2022UFDF-7 MOSFET凭借其优异的电气性能、宽广的温度范围和紧凑的封装形式，成为现代电源管理及高频开关应用的理想选择。无论是在高效能要求的电源解决方案，还是在需要高可靠性的工业和汽车应用中，该MOSFET都能提供卓越的性能和可靠性。选择DMN2022UFDF-7，您将能够在各种应用中实现高效的电能转换与控制，助力创新与发展。