DMN3035LWN-7 产品实物图片
DMN3035LWN-7 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN3035LWN-7

商品编码: BM0084328462
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
VDFN30208
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 770mW 30V 5.5A 2个N沟道 VDFN3020-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.964
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.964
--
200+
¥0.666
--
1500+
¥0.605
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN3035LWN-7参数

FET 类型2 N-通道(双)FET 功能标准
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)35 毫欧 @ 4.8A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)9.9nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)399pF @ 15V
功率 - 最大值770mW工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-PowerVDFN
供应商器件封装V-DFN3020-8

DMN3035LWN-7手册

empty-page
无数据

DMN3035LWN-7概述

DMN3035LWN-7 产品概述

在现代电子设计中,功率管理、信号开关和高效信号处理的需求日益增长。在这个背景下,DMN3035LWN-7场效应管(MOSFET)成为了许多应用的理想选择。本文将对这款元器件的关键特性、应用场景以及其在市场中的优势进行深入分析。

基本特性

DMN3035LWN-7是一个双N沟道场效应管,适合各种标准电源和信号开关应用。其主要参数如下:

  • 漏源电压(Vdss):30V。这使得DMN3035LWN-7适合用于低至中压的电源管理应用。
  • 连续漏极电流(Id@25°C):5.5A,能够处理相对较大的电流负载。
  • 导通电阻(Rds(on)):35毫欧,测试条件为4.8A和10V的栅源电压,这表明其在高负载情况时能够保持较低的功耗,降低热损耗。
  • 栅源阈值电压(Vgs(th)):最大值为2V,能够在较低的栅源电压下实现导通,为设计者提供更大的灵活性。
  • 栅极电荷(Qg):最大值为9.9nC,在10V的工作条件下,确保快速开关能力,有助于提高开关频率,适应高效能要求的电路。
  • 输入电容(Ciss):最大值为399pF,在15V的条件下,为设计提供低驱动资源的支持,显著减少控制电路的负担。
  • 功率最大值:770mW,这让其适应于温度和功率波动较大的多种应用。
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C,广泛的工作温度范围使其能够在极端环境下工作,而不影响性能。

封装与安装

DMN3035LWN-7采用表面贴装型(VDFN3020-8)封装,具有良好的热性能和电气性能。这样的封装设计不仅节省了电路板空间,同时也简化了装配过程,适合高密度的电子产品。

应用场景

DMN3035LWN-7的特性使其在多种应用中表现出色,主要包括:

  1. 开关电源(SMPS):在电源转换过程中作为开关元件,是现代电源设计中不可或缺的组件,能够在不同负载之间有效切换。
  2. 电机驱动:用于DC直流电机控制中,能够在快速开关条件下有效调节电机的速度和扭矩输出。
  3. LED驱动:在LED灯具的电源管理中,DMN3035LWN-7提供了必要的电流控制,确保灯具的稳定性和亮度。
  4. 电池管理系统:在移动设备和电动车辆中,适用于功率管理,实现高效的充放电控制,延长电池使用寿命。
  5. 信号开关:在音频和视频信号处理中作为开关应用,保持信号质量的同时实现高效控制。

竞争优势

与市场上其他同类产品相比,DMN3035LWN-7在多个方面展现了竞争优势。其更低的导通电阻意味着更低的热损耗和更高的工作效率。此外,其广泛的工作温度范围和牢靠的封装设计,使其能够满足极端环境的需求,为工程师提供了更多的设计灵活性。

总之,DMN3035LWN-7是一款功能强大的平面场效应管,凭借其卓越的性能、紧凑的结构和良好的热管理能力,广泛应用于各类高效能电子产品中。无论是电源管理、信号开关,还是其他涉及较大电流的应用场景,这款MOSFET都能够满足现代电子设计的需求,为创意和创新提供有力支持。