FMMT593TC 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FMMT593TC

商品编码: BM0084328453
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 500mW 100V 1A PNP SOT-23-3
库存 :
7890(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.31
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.31
--
100+
¥1.05
--
500+
¥0.953
--
2500+
¥0.883
--
5000+
¥0.841
--
10000+
¥0.785
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

FMMT593TC参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)100V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,5V
功率 - 最大值500mW频率 - 跃迁50MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

FMMT593TC手册

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FMMT593TC概述

FMMT593TC 产品概述

FMMT593TC是一款高性能的PNP型晶体管(BJT),旨在满足多种电子应用的需求。该器件的设计特点使其在小型化电路、低功耗应用以及高频信号处理方面表现突出。本文将对FMMT593TC的关键参数、应用场景和优势进行详细介绍。

1. 基本参数

FMMT593TC的基本参数如下:

  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 1A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 100V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在不同的集电极电流下,饱和压降最大值为300mV(在50mA时)和500mV(在500mA时),这使得设备在工作时具有良好的能效。
  • 集电极截止电流 (I(c)(off)): 最大截止电流为100nA,显著降低了待机功耗。
  • 直流电流增益 (hFE): 在500mA和5V时,最小值为100,这意味着该器件在一定驱动条件下能够实现较高的电流放大。
  • 最大功率: 500mW,足以支持多种中低功率应用。
  • 工作频率: 50MHz,适用于高频应用。
  • 工作温度范围: -55°C至150°C,确保在极端环境下的可靠性。
  • 封装: SOT-23-3(也称为TO-236-3和SC-59),适合表面贴装技术(SMT),便于集成到各种电路板中。

2. 应用领域

FMMT593TC广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 音频信号放大: 由于其低饱和压降和高增益特性,能有效放大音频信号,适用于音频设备和高保真音响系统。
  • 开关电源: 在开关电源电路中,FMMT593TC可以用作开关元件,以实现高效的电能转换。
  • 功率驱动电路: 适用于电机驱动、LED驱动等需要控制较大功率输出的应用。
  • 射频应用: 由于其50MHz的工作频率,FMMT593TC可以用于RF放大器和射频切换电路,有效处理高频信号。
  • 低功耗电子设备: 由于其低截止电流和低功耗特性,非常适合用于便携式和电池供电的设备,如无线传感器和便携式通信设备。

3. 优势

FMMT593TC相较于其他同类产品具有多项显著优势:

  • 小型化设计: 采用SOT-23-3封装,使得元件体积小、易于集成,满足现代电子产品对空间的严格要求。
  • 高集电极电流: 最大1A的集电极电流能力,适合多种功率要求的应用,具有较强的适用性。
  • 宽工作温度范围: 工作温度可达-55°C至150°C,尤其在极端环境下仍能保持稳定性能,适合各种工业应用。
  • 高电流增益: 在高增益情况下,能有效提高电路的驱动能力,减小后级元器件的负载要求。

4. 总结

FMMT593TC是一款性能优越的PNP型晶体管,凭借其良好的电气特性和高度的可靠性,使其在多种电子应用中表现出色。在音频、开关电源、功率驱动和射频等领域,FMMT593TC都能为设计师提供灵活的解决方案。尤其在当今迅速发展的电子市场中,这款器件凭借其优越的性能成为了众多工程师和设计师的优选。选择FMMT593TC,意味着选择了一种高效、可靠的电子元器件解决方案,以满足未来电路设计的需求。