D55V0M1B2WSQ-7

产品概述：D55V0M1B2WSQ-7

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
封装: SOD-323
类型: 齐纳二极管，双向通道

1. 引言

D55V0M1B2WSQ-7 是由 Diodes Incorporated 生产的高性能瞬态电压抑制器（TVS）二极管，专为汽车和USB应用而设计。作为一种二向性器件，D55V0M1B2WSQ-7 可为敏感电子设备提供有效的电压瞬变保护，从而提高系统的可靠性和稳定性。

2. 关键特性

• 反向断态电压: 典型值为 55V，最大值不超过 55V，意味着该器件适合在该电压以下的电路中使用。
• 击穿电压: 此器件的最小击穿电压达到 57V，使其在发生过电压事件时能迅速响应。
• 箝位电压: 当电流达到最大值时，其箝位电压可高达 100V，这意味着在高脉冲电流情况下，器件将保护连接的负载不受过高电压的影响。
• 脉冲电流能力: 该器件能够承受 2A 的峰值脉冲电流（10/1000µs），适用于典型的电源瞬态事件。
• 峰值功率: 其峰值功率可达到 200W，确保了在过压事件中的良好性能。
• 工作温度范围: 适应的工作温度为 -65°C 至 +150°C，能够在极端环境条件下正常工作，符合汽车应用的需求。

3. 应用领域

D55V0M1B2WSQ-7 主要应用于以下领域：

• 汽车电子: 为汽车的电子控制单元（ECU）、传感器、执行器及其他电气组件提供保护，防止电压瞬变和其他电气干扰对其功能的影响。
• USB接口保护: 有效保护USB接口及其连接的设备不受瞬态电压损害，确保数据传输的稳定和安全。

4. 电气特性

• 电容: 在1MHz频率下，D55V0M1B2WSQ-7 的电容为 14pF，这使其在高频应用中保持低电容的特性，以避免对信号传输造成干扰。
• 双向通道: 设计为双向通道，使其能够有效处理正负两方向的瞬态电压，广泛适用于各种电气环境。

5. 封装特性

D55V0M1B2WSQ-7采用 SOD-323 表面贴装封装，其小巧的尺寸使得其能在空间有限的电路板上被轻松安装。此外，卷带（TR）的包装形式便于自动化贴装，提高了生产效率。

6. 结论

D55V0M1B2WSQ-7 是一款经过AEC-Q101认证的汽车级瞬态电压抑制器，凭借其出色的电气特性，适应严苛的工作环境，满足现代汽车和电子设备的高要求。随着汽车电子化和智能化程度的不断提高，有效保护电气系统的安全性的重要性愈加凸显，D55V0M1B2WSQ-7 在未来的应用前景中无疑将会有广泛的市场。选择D55V0M1B2WSQ-7，保障您的设备免受电压瞬变影响，为应用提供可靠的保护。